LeTID

运行，我们为该项目提供了拥有更佳抗LID、抗LeTID表现的Jaeger组件。由于优化设计，Jaeger组件可降低热斑效应，并减少阴影遮挡对组件发电带来的影响，且具有更低的系统和人力成本，可为马来西亚

技术的铸锭单晶硅片氧含量约为直拉单晶硅片的40%，光致衰减(LID,LeTID)与常规多晶相当(约0.8%)，比直拉单晶产品低0.5%以上，长期发电量更高。 二是更美外观。铸锭单晶电池采用湿法黑硅技术

℃，可使用130m甚至更薄的硅片，在设备和材料上降本空间大，未来将最更具成本优势。 基于无B-O光衰减、无LeTID，较低的温度系数(基本只有晶硅同质结电池的一半左右)、高双面率、弱光响应优异等特点

具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的氢原子向电池内部的扩散，从而减少LeTID衰减。 江苏微导CTO黎微明博士指出，ALD钝化效果优异，量产性能稳定，并且在当前多种技术路线中生

提高能量输出。 该系列太阳能组件还符合基于公司Q.ANTUM技术的高质量标准，包括出众的抗LeTID(光和高温诱导衰减)，抗LID(光诱导衰减)及抗PID(电势诱导衰减) 性能，以及热斑保护和可追溯

马上下载PPT：PERC电池衰减的光衰测试技术 LeTID的影响因素很复杂，包括： BO对诱导光衰 H诱导光衰 金属杂质诱导衰减 结构缺陷诱导衰减 Si悬挂键诱导衰减

认证、PID，LID，LeTID，不均匀雪载荷氨气，盐雾，沙尘，防火，运输振动、光伏组件功率衰减率、户外实证长期可靠性、模拟发电量、能效评估/能级评定等。户外实证测试表明，组件温度越高，温度损失越大

， 尤其是采用微导专利的ALD镀膜技术，PERC电池在抗LeTID的性能上具有显著的提升作用。有意思的是，这个结果是和现有PERC电池采用PECVD背钝化工艺相比较下得到的。他们通过对下面的实验结果进行对比
得出结论，ALD和PECVD镀膜技术在降低LeTID衰减中的有着明显不同的表现。根据新南威尔士大学的分析，其原因在于ALD 三氧化二铝薄膜具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的

。 他指出，与现有的PECVD背钝化工艺相比，采用微导专利的ALD镀膜技术的PERC电池在抗LeTID方面具有更加优异的性能。ALD和PECVD镀膜技术在降低LeTID衰减中的有着明显不同的表现，根据黎微明
的分析，其原因在于ALD 三氧化二铝薄膜具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的氢原子向电池内部的扩散，从而减少LeTID衰减。而PECVD氧化铝薄膜由于存在较多缺陷和针孔，无法阻挡

文 黄耕文认为目前情况下铸锭单晶的优势是显而易见的：一品质，含氧量低、LeTID衰减低，可以保证功率稳定输出;二兼容性，几乎可以叠加目前所有的主流技术，比如PERC、半片、叠瓦、黑硅等等都可以兼容