III-V族

报告。报告内容包括：基础研究，新器件（含染料敏化电池）新材料及新概念太阳电池，晶体硅电池及材料技术，硅基薄膜电池及材料技术，CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池及材料，空间太阳电池

高。中国最大的PV产品厂商之一英利太阳能公司正力争在中国保定实现每年3000吨的多晶硅产量。 　　由III-V族元素构成的半导体材料是直接禁带化合物，因此具有最高的转换效率。但是，它们的价格非常昂贵

Veeco Instruments公司宣布，台湾新竹的禧通科技公司（M-Com）订购了一套TurboDisc E450 磷化砷（As/P）MOCVD系统，用于生产高效率的III-V族化合物多结

重要一步。此类太阳能电池是由利用不同半导体制造的太阳能电池堆叠构成的，半导体经过仔细选择，以最有效地吸收太阳光谱。 在许多可能的组合方式中，IMEC专注于堆叠电池，顶层电池由III-V族材料构成， 底层电池由锗构成。利用这种组合，IMEC希望把转化效率提高到35%以上。

将研究焦点集中在于顶层使用三五族材料(III-V materials)、底层则使用锗的搭配方式。该机构期望能透过这种组合，使太阳能电池的光电转换效率可达到35%以上。

III-V族聚光型太阳能电池（CPV）接收器模块，台达与发展聚光型太阳能电池技术的Spectrolab公司共同合作，积极寻找硅晶圆以外的太阳能产业替代材料。
台达电领先开发的三五族聚光型太阳能电池已获得欧美电厂认证，成功切入太阳能产业新材料，今年可望大量出货，主要供应给电厂；在太阳能硅晶圆部分，台达电转投资的旺能已与欧洲主要原料供货商签订硅芯片原料供应

聚光光伏（CPV）最严峻的岁月，这个新生的产业为新的化合物半导体器件市场点燃了星星之火。在九月初意大利米兰举办的第22届欧洲光伏太阳能会议上，基于小型III-V族芯片的CPV系统在技术论文中占的比例很大
SolFocus安装的CPV系统，它是决定新兴的三五族应用能否在未来取得成功的关键因素 -By Michael Hatcher in Milan, Italy 接下来的一年被认为是

III-V族太阳能电池；（3）结晶硅太阳能电池；（4）薄膜硅太阳能电池；（5）化合物薄膜太阳能电池；（6）模块技术；（7）系统技术；（8）政策、产业、市场及环保。 　　增田表示，由于此次在日本举行，主力厂商

；聚合物多层修饰电极型太阳能电池；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜

；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低