III-V族

、新器件（含染料敏化电池）、新材料及新概念太阳电池；（2）晶体硅电池及材料技术；（3）硅基薄膜电池及材料技术；（4）CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池及材料，以及空间太阳电池；（5

转向高效的HCPV系统发电 (第三代聚光太阳能)。与前两代电池相比，CPV采用多结的III-V族化合物电池，具有大光谱吸收、高转换效率(HCPV系统转换效率可达25%，远高于目前晶硅电池17%左右的
显示，基于三接面三五族化合物太阳能电池HCPV系统成本为每瓦3.6美元。而根据三安光电介绍，Emcore目前系统成本已为3美元/瓦，三安系统成本为2.5美元/瓦，低于目前硅基太阳能发电系统4美元/瓦的

III-V 族外延晶圆和氮化镓 (GaN) 晶圆，主要用于制造高频电子产品和其他光电子器件。Tracit 则侧重于薄膜层转移技术，用于制造电源管理集成电路和微系统所需要的晶圆，以及通用电路的转移技术

美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布，公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池，标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池
"，并将应用NREL的知识产权与技术。实验室已证明该太阳能电池转换效率最高可达40.8%。 6英寸晶片是III-V族半导体量产中使用的最大尺寸晶片。目前复合太阳能电池的制造仍使用较小尺寸晶片及低效率生产设备。

优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%,单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%,多结的III-V 族电池对光谱进行了更全面的吸收,其理论转换率可超过50%。即使考虑到聚光和追踪所产生的误差
第三代CPV 发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池,目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV 系统发电。与前两代电池相比,CPV 采用多结的III-V

第三代CPV 发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池,目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV 系统发电。与前两代电池相比,CPV 采用多结的III-V 族
性能。硅电池的理论转换效率大概为23%,单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%,多结的III-V 族电池对光谱进行了更全面的吸收,其理论转换率可超过50%。即使考虑到聚光和追踪所产生的误差损失,目前的

技术；（3）硅基薄膜电池及材料技术；（4）CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池及材料，以及空间太阳电池；（5）光伏组件及生产设备和零配件制造；（6）光伏系统、平衡部件、并网及工程技术；(7

、新器件（含染料敏化电池）、新材料及新概念太阳电池；（2）晶体硅电池及材料技术；（3）硅基薄膜电池及材料技术；（4）CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池及材料，以及空间太阳电池；（5

。 　　阿尔费罗夫教授1930年生于白俄罗斯维捷布斯克。自1962年始，他一直致力于III-V族半导体异质结构领域的研究，特别是在异质结构的注入特性、异质结构激光器、太阳能电池和发光二极管的研制以及外延工艺

专攻III-V族太阳能电池的台湾厂商华宇，宣布其投入高效率聚光型多接面太阳能电池研发及量产，华宇表示，在其技术团队不断改进磊晶及制程技术后，日前电池转换效率在聚焦186倍的工作环境下达到40.7