III-V族

产品之一。　　2 多元化合物薄膜太阳能电池　　为了寻找单晶硅电池的替代品,人们除开发了多晶硅、非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化
太阳能电池最理想的替代　　砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1．4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此

，大部分研讨会还都以应变硅及high-k/金属栅极等最近的技术为对象，到了会议后半期就会“令人乏味”。而此次从Ge到III-V族半导体、石墨烯及Post-CMOS元件，可谓应有尽有。是否能推出产品姑且

测试，例如三五族太阳电池（III-V Solar cell）、追日仪（Tracker）、变电器（Inverter）等。第三，发电站也可作为未来CPV专业技术人员的训练场所。 　2009年华旭在CPV

群雄割据状态从化合物类薄膜太阳能电池99～08年的专利动向来看，02年以前，III-V族和II-VI族材料的相关专利的公开件数居多。但03年以后，CGS和CIGS等I-III-VI族相关专利件数增多。不过

，第五位的三洋电机为38件。 化合物类薄膜太阳能电池业务呈“群雄割据”状态 　　从化合物类薄膜太阳能电池99～08年的专利动向来看，02年以前，III-V族和II-VI族材料的相关专利的公开件数居多

因不同的晶格常数，结合后容易产生应力，造成插排或是其它的晶格缺陷。 由法兰克博士(Frank Dimroth)领军的III-V族磊晶与太阳能电池团队，FhG-ISE克服上述之困难，使缺陷
韦伯(Eicke R. Weber)博士提到。 多接面太阳能电池中的变形外延可以使用多种III-V族化合物半导体，这个高效率的电池结构，由合适的材料组成，可以将太阳光区分为三个波段分别来吸收

常数，结合后容易产生应力，造成插排或是其它的晶格缺陷。 由法兰克博士(Frank Dimroth)领军的III-V族磊晶与太阳能电池团队，FhG-ISE克服上述之困难，使缺陷局限于电子非活跃区
R. Weber)博士提到。 多接面太阳能电池中的变形外延可以使用多种III-V族化合物半导体，这个高效率的电池结构，由合适的材料组成，可以将太阳光区分为三个波段分别来吸收。研究员提到，这是

Asif Anwar表示，薄膜太阳能电池成本较低，不消耗晶硅，传统的晶硅太阳能制造商都开始关注薄膜太阳能，如Q-Cells和 Sharp公司。 Anwar先生得出结论：III-V族光伏电池具备

Q-Cells和Sharp，都相继走入新的领域。此外，III-V族CPV技术具备高转换效率以及低材料用量两大优势，我们相信到2012年，优势会转化为CAAGR=133%，市占率共计10%。 (编辑:xiaoyao)

集成复杂电池。 该项目的经理David Rogers评论道：CIP专注于InP生长和制造，正在开发新的市场应用，生产III-V族太阳能电池，继续定位于解决环保问题的产品。 这个联盟目前