III-V族

索比光伏网讯:台湾聚阳光能成功研发稳态转换效率达30%的聚光型太阳能模组（HCPV），采用其独家研发的「双抛共焦反射式聚光镜」技术，搭配III-V族太阳能电池，让该公司太阳能模组更有效提升系统

，土地还可以继续种植草坪、低矮灌木等综合利用。最后，经过相关测算数据显示，晶体硅及薄膜太阳能电池的理论转换能大约能达到28%，而多结的III-V 族电池理论转换率可超过60%，可见，目前聚光
认为是太阳能发电的第三代技术的聚光光伏以其高光电转换效率已引起了业内的广泛关注。而高倍聚光光伏则是通过超过300倍以上的聚焦光学系统，将太阳光汇聚在一小块多结Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池上，通过光电转化进行发电，为

III-V 族电池理论转换率可超过60%，可见，目前聚光电池转化效率已达到了40%左右，但其可提升的空间还是很大的。 　　中国能源报：发展高倍聚光光伏，特别是推动技术进步和产业化方面，聚恒公司做了哪些工作
太阳能利用技术，被认为是太阳能发电的第三代技术的聚光光伏以其高光电转换效率已引起了业内的广泛关注。而高倍聚光光伏则是通过超过300倍以上的聚焦光学系统，将太阳光汇聚在一小块多结Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池上，通过

者的原理正是聚光(CPV)概念。该公司在太空太阳能电池技术领域拥有逾40年的丰富经验，其产品范围包括多种矽太阳能电池和III-V族太阳能电池，包括以锗外延片为基材的太阳能电池。CPV技术利用透镜将
太阳光聚集到小面积的光伏材料上，从而进行发电。CPV系统具有众多优势，其生产成本远远低于传统的平板系统。 要通过高效能和低成本的生产方式最大限度地提升其潜在商业价值，公司必须能够生产出低成本的聚光光学系统和III-V材料。

到～1美元/cm2，同时效率不变，那就会对系统成本和LCOE这样的计量产生显著影响。III-V族优秀性能与低成本Si经济性的优势组合在图2中用圆圈圈出，图中的标记示出了Si技术上的III-V族多结电池在

单晶GaAs太阳能电池的最高转 换效率已经达到38%，但由于其原材料成本与Si系相比较高，资源量极其有限，这极大限制了它在地面的应用。以III-V族化合物中另一代表性的化合物电池是InP太阳能电池。与

极其有限，这极大限制了它在地面的应用。以III-V族化合物中另一代表性的化合物电池是InP太阳能电池。与GaAs相比，它不需要制成异相机结构。此类电池的最高转换效率已经达到22%，但大部分研究结果显示为

，适用于单晶硅、多晶硅、非晶薄膜、染料敏化、有机、III-V族半导体等各种不同类型的太阳能光伏电池。SS1000作为稳态太阳光模拟器，SS1000采用1000W的氙灯来模拟太阳光，经过独特的光路设计

太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。上述电池中，尽管硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本
。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和LPE技术，其中

发了多晶硅、非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。上述电池中，尽管硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜
转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1．4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和