III-V族

下属的国家可再生能源实验室（NREL）与瑞士电子与微技术中心（CSEM）的研究人员共同开发出双结III-V族/硅太阳能电池，在将非集中太阳光转化为电能的效率方面创造了新纪录，达到29.8%。这种太阳电池是

实验室（NREL）与瑞士电子与微技术中心（CSEM）的研究人员共同开发出双结III-V族/硅太阳能电池，在将非集中太阳光转化为电能的效率方面创造了新纪录，达到29.8%。这种太阳电池是由两种电池堆积

案例较多。一般来说STH的转换效率和耐久性有此消彼长的关系，同时提高二者并非易事。 耐久性由几秒提高到40小时以上 此次试制的是由III-V族化合物构成的双结型STH元件。在由AlInP构成的

来源于苏州纳格光电技术有限公司）。该团队还着重研究实用型器件制造技术、器件稳定性（图2c）和封装技术等。目前重点研究内容是基于钙钛矿和III-V族半导体的高效大面积薄膜太阳能电池。相关前期研究成果已经

耐久性有此消彼长的关系，同时提高二者并非易事。耐久性由几秒提高到40小时以上此次试制的是由III-V族化合物构成的双结型STH元件。在由AlInP构成的Window层表面层叠催化剂层时，通过以1nm

太阳能电池的主要发展产品之一。 4.2.多元化合物薄膜太阳能电池 多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。 硫化镉、碲化镉多晶
)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用

之一。 2．多元化合物薄膜太阳能电池 多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。 硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜
太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。 砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达

III-V族半导体材料的多结芯片（如三结GaInP/InGaAs/Ge）。低倍聚光（LCPV）系统的聚光比一般小于100，通常使用高效的单晶硅芯片，采用单轴跟踪系统或双轴跟踪系统，本文对此不作重点
，强调了研发努力的进展。这些趋势线是来自欧洲研发平台的预期，这预计了聚光技术效率提升的巨大潜力。效率问题：III-V族多结电池是聚光技术度电成本下降的主要推手。从2002年以来，每年的效率提升在0.9

（HCPV）系统采用高聚光比模组和双轴跟踪系统（统计至2014年11月）。 所谓高聚光比指的是聚光比在300~1000之间，采用III-V族半导体材料的多结芯片（如三结GaInP/InGaAs/Ge
2000年以来芯片、模组和系统效率的提升，强调了研发努力的进展。这些趋势线是来自欧洲研发平台的预期，这预计了聚光技术效率提升的巨大潜力。 效率问题：III-V族多结电池是聚光技术度电成本下降的主要

使用晶硅材料，但随着其他更高光电转换效率材料的发展和聚光比的提高，III-V族砷化镓系列的半导体多结材料慢慢成为聚光光伏使用的主流材料，而晶硅材料在聚光比提高以后无法承受高密度的光照，仅停留在低倍聚光
上应用。因此，聚光光伏又分为低倍聚光（LCPV）和高倍聚光（HCPV）。本文后面谈到的聚光光伏，特指高倍聚光。 作为光电转换材料，III-V族砷化镓材料因其优异的热学、光学特性，以及抗太空辐射和重量轻