III-V族

可靠性。除了纳米线校准的突破外，SolVoltaics的Aerotaxy生产技术已发展了好几个世代。该项专利工艺允许通过连续气相工艺生产制造具有成本效益的三五族(III-V)纳米线太阳能电池。我们

Aerotaxy生产技术已发展了好几个世代。该项专利工艺允许通过连续气相工艺生产制造具有成本效益的三五族(III-V)纳米线太阳能电池。 我们已经在过去的几个季度取得了几项显着的进步

电池衰减现象，进一步确认了技术的性能可靠性。除了纳米线校准的突破外，Sol Voltaics的Aerotaxy生产技术已发展了好几个世代。该项专利工艺允许通过连续气相工艺生产制造具有成本效益的三五族
(III-V)纳米线太阳能电池。我们已经在过去的几个季度取得了几项显着的进步，而且该势头在几个方面仍然持续着，Smith说道。 实际上，在迈向商业化的进程中我们仍有一些剩余的障碍需要克服，但我们非常有信心

可靠性。除了纳米线校准的突破外，SolVoltaics的Aerotaxy生产技术已发展了好几个世代。该项专利工艺允许通过连续气相工艺生产制造具有成本效益的三五族(III-V)纳米线太阳能电池。我们已经在

具有成本效益的三五族(III-V)纳米线太阳能电池。我们已经在过去的几个季度取得了几项显着的进步，而且该势头在几个方面仍然持续着，Smith说道。 实际上，在迈向商业化的进程中我们仍有一些剩余的障碍需要

、低成本智能光伏电站，智能化分布式光伏和微电网应用，50MW 级储热的风光热互补混合发电系统等方面开展研发与攻关。（二）创新目标1。2020 年目标。突破三五（III-V）族化合物电池和铁电-半导体
/晶体硅叠层电池、钙钛矿电池、染料敏化电池、有机电池、量子点电池、新型叠层电池、硒化锑电池、铜锌锡硫电池和三五（III-V）族纳米线电池等电池技术，实现至少一种电池达到世界最高效率。2。高效、低成本

研究成果。在III-V族半导体中，InSb化合物具有最窄禁带宽度、最高电子迁移率、最小有效质量和最大g 因子，是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物理探索的

cell 能源部国家可再生能源实验室（NREL）以及瑞士电子和微中心（CSEM）的科学家们共同创造出了用双结III-V族/半导体硅太阳能电池将非浓缩日光转化成电能的新世界纪录。 最新太阳能电池

）以及瑞士电子和微中心（CSEM）的科学家们共同创造出了用双结III-V族/半导体硅太阳能电池将非浓缩日光转化成电能的新世界纪录。最新太阳能电池认证的转换记录29.8％，是由NREL开发的磷化铟镓顶部

）以及瑞士电子和微中心（CSEM）的科学家们共同创造出了用双结III-V族/半导体硅太阳能电池将非浓缩日光转化成电能的新世界纪录。最新太阳能电池认证的转换记录29.8％，是由NREL开发的磷化铟镓顶部元件