III-V族

要的是，他们所用的量子点是采用室温溶液法制备的，无需传统半导体(锗和III-V族半导体等)所需的高温外延生长过程。因此，胶体量子点可被用于硅基红外探测器件，与现有的外延半导体器件相比具有独特

柔性戏机薄膜电池与模组等）的规模化与生产技术、III-V 族化合物电池、铁电─半导体耦合与铁电─半导体／晶体矽层叠电池、钙钛矿电池、染料敏化电池、量子点电池、新型层叠电池、硒化锑电池、铜锌锡硫电池等

电池、CdTe电池、CIGS电池），第三类电池为尚未商业化的新型电池（铁电-半导体耦合电池、III-V族化合物电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿电池、量子点电池等）。 中国晶体硅产业链整体产业化技术水平较强

-半导体耦合电池、III-V族化合物电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿电池、量子点电池等）。中国晶体硅产业链整体产业化技术水平较强，其中多晶硅生产工艺水平不断提升，大型骨干企业多晶硅生产能耗、物耗大幅

新型电池（铁电-半导体耦合电池、III-V族化合物电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿电池、量子点电池等）。中国晶体硅产业链整体产业化技术水平较强，其中多晶硅生产工艺水平不断提升，大型骨干企业多晶硅生产

为尚未商业化的新型电池（铁电-半导体耦合电池、III-V族化合物电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿电池、量子点电池等）。中国晶体硅产业链整体产业化技术水平较强，其中多晶硅生产工艺水平不断提升，大型

），第三类电池为尚未商业化的新型电池（铁电-半导体耦合电池、III-V族化合物电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿电池、量子点电池等）。中国晶体硅产业链整体产业化技术水平较强，其中多晶硅生产工艺水平不断

wafer bounding）工艺，突破硅太阳能电池的理论极限，将几微米的三五族半导体材料转移为硅材。Fraunhofer ISE和EVG的研究员透过直接晶圆接合工艺将几微米的三五族半导体材料转换为硅
正在研究超越硅太阳能电池理论极限的方法。凭借在硅和III-V技术方面的长期经验，我们才能够实现这一里程碑。Fraunhofer ISE和EVG在4平方厘米面积的硅多结太阳能电池上使转换效率提升至30.2

测试后的18个月内显示很少或并没有电池衰减现象，进一步确认了技术的性能可靠性。除了奈米线校准的突破外，Sol Voltaics的Aerotaxy生产技术已发展了好几个世代。该项专利制程允许通过连续气相制程生产制造具有成本效益的三五族(III-V)奈米线太阳能电池。