III-V族

pn层。利用该技术可在Si类和CIGS类太阳能电池上层积III-V族pn结，因此能够以低成本制造高效率的太阳能电池。该小组制作了在CIGS类太阳能电池上层叠GaAs和GaInP双结太阳能电池的发电元件

技术可在Si类和CIGS类太阳能电池上层积III-V族pn结，因此能够以低成本制造高效率的太阳能电池。 开发该技术的是AIST光伏发电工程研究中心的先进多结器件小组。该小组制作了在CIGS类

技术可在Si类和CIGS类太阳能电池上层积III-V族pn结，因此能够以低成本制造高效率的太阳能电池。开发该技术的是AIST光伏发电工程研究中心的先进多结器件小组。该小组制作了在CIGS类太阳能电池

，此项技术使得CPV拥有在太阳光垂直入射条件下系统光电转换的最大效率。CPV电池是以砷化镓GaAs为代表的耐高温III-V族化合物组建而成，所以在低温及高温环境下衰减很低，电池成本因此降低

聚光太阳能技术，被认为是太阳能发电未来发展趋势的第三代技术。最新研制出的四结太阳能电池中的子电池单结是由不同的III-V族(元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb等

，最新研究有望大幅降低太阳能发电的成本并为获得转化效率高达50%的太阳能电池铺平了道路。最新研制出的四结太阳能电池中的单个电池由不同的III-V族（元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P

表示，最新研究有望大幅降低太阳能发电的成本并为获得转化效率高达50%的太阳能电池铺平了道路。最新研制出的四结太阳能电池中的单个电池由不同的III-V族（元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的

)多元化合物薄膜太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶矽薄膜太阳能电池效率高，成本较
又分为非结晶形(a-Si:H,a-Si:H:F,a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族(Cds系)和磷化锌(Zn 3 p 2 )等。太阳能电池根据所用材料的不同