III-V族

材料相比，基于III-V族半导体多结太阳能电池具有最高的光电转换效率，大致要比硅太阳能电池高50%左右。III-V族半导体具有比硅高得多的耐高温特性，在高照度下仍具有高的光电转换效率，因此可以采用高倍

。他们表示，最新研究有望大幅降低太阳能发电的成本并为获得转化效率高达50%的太阳能电池铺平了道路。最新研制出的四结太阳能电池中的单个电池由不同的III-V族(元素周期表中III族的B，Al，Ga
，In和V族的N，P，As，Sb等)半导体材料制成，这些结点逐层堆积，单个子电池能吸收太阳光光谱中不同波长的光。第三代太阳能电池面临的挑战第三代光伏电池综合考虑了多重能量阈值、低成本的制备方法、丰富无毒的

太阳能发电未来发展趋势的第三代技术。最新研制出的四结太阳能电池中的单个电池由不同的III-V族（元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb等）半导体材料制成，这些结点逐层堆积，单个

达到42.5％，在上面再重叠其他材料的话还可进一步达到47.5％。 在候选材料方面，格林提到了宇宙用途及聚光系统使用的GaAs等III-V族材料、不使用In的薄膜化合物型太阳能电池使用的CZTS，以及在染料敏化

了今年5月，该团队公布，效能率43.6%的记录。这种多接结式III-V族电池，利用聚光伏(CPV)技术，能够在阳光强烈地区，产生比传统的光伏电池高一倍的发电率。Soitec公司总裁埃尔韦在声明中说，在

索比光伏网讯:逆变器、汇流箱、35kv箱变招标公告简介：日芯光伏科技有限公司是由国内光电龙头企业三安光电（中国：上证证券代码600703）和世界著名的III-V族半导体制造厂商Emcore（美国

产品则为薄膜太阳能电池，主要构成材料分别为非晶矽(Amorphous Si)、碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)等。第三代即为三五族(III-V)电池，如砷化镓(GaAs)太阳能电池因具有良好的
转换效率平均仅约7~12.5%，碲化镉电池转换效率最高约17%，铜铟镓硒电池则约20%。值得注意的是，三接面III-V族太阳能电池最佳转换效率已达到44%，未来更有机会突破50%。 过去III-V族

两个生长在不同III-V族化合物材料上的新型高复杂度2结子电池组成，通过优化带隙组合以获得更宽的太阳光谱，从而实现光电转换效率最大化。Soitec公司在4结太阳能电池中使用了其专有的半导体键合（智能
霍兹材料与工程中心共同开发，他们在新衬底材料上实现了III-V族外延层的生长和沉积，以及器件的制备和表征。法国电子与信息技术研究所CEA-Leti也主动参与项目研究，贡献其在高机械强度、导电和透光键合界面以及III-V族化合物材料层传输工程方面的专业特长。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所黄庆红）

结太阳能电池由两个生长在不同III-V族化合物材料上的新型高复杂度2结子电池组成，通过优化带隙组合以获得更宽的太阳光谱，从而实现光电转换效率最大化。Soitec公司在4结太阳能电池中使用了其专有
研究所和柏林亥姆霍兹材料与工程中心共同开发，他们在新衬底材料上实现了III-V族外延层的生长和沉积，以及器件的制备和表征。法国电子与信息技术研究所CEA-Leti也主动参与项目研究，贡献其在高机械强度

砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。上述电池中，尽管硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对
环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1．4eV