III-V族

使用晶硅材料，但随着其他更高光电转换效率材料的发展和聚光比的提高，III-V族砷化镓系列的半导体多结材料慢慢成为聚光光伏使用的主流材料，而晶硅材料在聚光比提高以后无法承受高密度的光照，仅停留在低倍聚光
上应用。因此，聚光光伏又分为低倍聚光（LCPV）和高倍聚光（HCPV）。本文后面谈到的聚光光伏，特指高倍聚光。 作为光电转换材料，III-V族砷化镓材料因其优异的热学、光学特性，以及抗太空辐射和重量轻

迄今报导的III-V族纳米线阵列太阳电池的最高效率，是以前的砷化镓纳米线阵列技术转换效率的一倍。对于光伏应用，控制原生GaAs表面状态的高密度至关重要，这些结果证明，Sol Voltaic公司已经
解决了太阳电池纳米线生长中的这个挑战。"我们的砷化镓纳米线的效率，乃是我们的低成本薄膜的重要方面。III-V族材料在光伏产业的应用，一直是人们追求的目标，但是，其成本一直令人望而却步。使用Sol

砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。 硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染
电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池四大类，而多元化合物半导体薄膜形又分为非结晶形(a-Si:H，a-Si:H:F，a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族

。劣势是光电转换效率较低，商业化应用的转换率目前普遍在8%-10%左右；存在光电效率衰退效应，稳定性不高。 多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、碲化镉
及铜锢硒薄膜电池等。 砷化镓(GaAs)III-V族化合物光伏电池的转换效率可达40%。GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结

普遍在8%-10%左右；存在光电效率衰退效应，稳定性不高。多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。砷化镓(GaAs)III-V族化合物

厂商，其优势之一是使用可调带隙为1eV的III-V族材料。这一成果是在美国能源部(DOE)的光伏孵化项目支持和其下属部门国家可再生能源实验室(NREL)管理下取得的。该电池转换效率已通过了NREL测量

相关技术话题后，全体会议代表奔赴电站现场进行实地考察，而总投资3.3个亿的哈密弗光石城子聚光光伏在建项目引起与会代表浓厚兴趣。据了解，该在建项目采用III-V族化合物电池直接进行光电转化，理论转化率达

影响，实现薄膜的均匀生长。 进行了高效晶硅和III-V族太阳电池的研究，在晶硅电池上实现了27.6%的效率（背结指交叉结构，~100倍的聚光比）和20.5%的效率（激光刻槽埋栅电池，30倍聚光

，最后将这些子电池串联形成多结太阳能电池。目前研究较多的III-V族材料体系，如InGaP/GaAs/Ge三结电池，所报导的转换效率可达42.8%左右。也有选取II-VI族材料的，但目前还处于研究阶段

子电池串联形成多结太阳能电池。目前研究较多的III-V族材料体系，如InGaP/GaAs/Ge三结电池，所报导的转换效率可达42.8%左右。也有选取II-VI族材料的，但目前还处于研究阶段。本文将主要