索比光伏网讯:尽管这个行业在去年经历了一些发电项目投资上的困难以及一些关于这项技术在银行融资上的议论，但项目安装仍然在继续，在成本下降和技术进步方面看起来也还是乐观的。
高倍聚光技术的市场和产业在最近几年取得很大进展，以下是一些基本情况：
1.累积的安装并网已经达到330MWp。其中，超过30MWp的项目有：中国格尔木日芯公司的60MWp和80MWp项目，南非soitec公司44MWp的Touwsrivier项目，美国科罗拉多Amonix公司位于Alamosa的30MWp项目；
2.已经证明的可靠性和现场数据超过6年；
3.全世界产能500MW/年；
4.高倍聚光的研发和技术水平进展：已经认证的电池效率世界记录为46%，已经确认的模组（组件）效率世界记录为36.7%，均由德国FraunhoferISE实验室获得。100kW以上项目统计分析表明，平均电站效率已经达到74%-80%；
5.自2002年以来，高倍聚光芯片的光电转换效率每年提高0.9%以上。
高倍聚光技术的特点
作为公共事业级的并网发电技术，高倍聚光已经进入了商业市场，这篇报告将就以下几个方面全面回顾高倍聚光技术的最新进展，包括市场、行业、研发和技术。
尽管这个行业在去年经历了一些发电项目投资上的困难以及一些关于这项技术在银行融资上的议论，但项目安装仍然在继续，在成本下降和技术进步方面看起来也还是乐观的。
高倍聚光的基本原理是利用相对廉价的聚光光学系统来替代昂贵但是高效率的III-V半导体芯片，使得它在发电度电成本上与光热技术和通常的平板（晶硅）系统具有竞争力，特别是在一些高辐射度的地区。高倍聚光特别适合于在阳光充足的地区（直射阳光DNI>2000kWh/m2/a）建设大型发电项目，超过90%的高倍聚光发电（HCPV）系统采用高聚光比模组和双轴跟踪系统（统计至2014年11月）。
所谓高聚光比指的是聚光比在300~1000之间，采用III-V族半导体材料的多结芯片（如三结GaInP/InGaAs/Ge）。低倍聚光（LCPV）系统的聚光比一般小于100，通常使用高效的单晶硅芯片，采用单轴跟踪系统或双轴跟踪系统，本文对此不作重点评述。
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