III-V族

。“量子结构太阳能电池在过去遇到的挑战主要是如何在引入窄带隙材料的同时，尽量降低其对电池开路电压的影响。”Welser博士表示，“为了克服这一问题，我们采用III-V族材料设计了新颖的宽带隙发射极异质结

。量子结构太阳能电池在过去遇到的挑战主要是如何在引入窄带隙材料的同时，尽量降低其对电池开路电压的影响。 Welser博士表示，为了克服这一问题，我们采用III-V族材料设计了新颖的宽带隙发射极异质结

效率 　　与硅基材料相比，基于III-V族半导体多结太阳能电池具有最高的光电转换效率，大致要比硅太阳能电池高50%左右。III-V族半导体具有比硅高得多的耐高温特性，在高照度下仍具有高的光电转换

、金属加工等领域。HCPV行业的产品包括了多结电池片外延材料、光电转换芯片、光接收器组件、聚光器、光伏模组、双轴跟踪器等。电池芯片采用多结技术大幅提高光电转换效率与硅基材料相比，基于III-V族半导体多结
太阳能电池具有最高的光电转换效率，大致要比硅太阳能电池高50%左右。III-V族半导体具有比硅高得多的耐高温特性，在高照度下仍具有高的光电转换效率，因此可以采用高倍聚光技术，这意味着产生同样多的电能

聚光太阳能发电系统是利用透镜或反射镜等聚光模块，将大面积的阳光汇聚到一个极小面积的多结III-V族半导体化合物（砷化镓GaAs）电池上。砷化镓电池相比晶硅电池具有抗高温、高转换效率等特征，可以在聚光

著名的 III-V族半导体制造厂商Emcore（美国：纳斯达克证券代码EMKR）共同出资成立的合资企业。依托两家母公司强大的技术研发以及领先的自动化生产制造技术，日芯光伏垂直整合了集设计、研发、生产

聚光光伏（CPV）技术的核心是III-V族聚光多结太阳电池，与其他种类的太阳电池相比，聚光多结太阳能电池具有光电转换效率高、温度特性好、能耗回收周期短等优点，可以最大限度的利用太阳能资源
approval. IEC, 2007. Manuel Vázquez, Carlos Algora , Ignacio Rey-Stolle , José Ramón González. III-V

太阳光谱波段吸收，多结太阳能电池对绝大部分的太阳光谱响应。马德里理工大学太阳能研究所主任Antonio Luque认为目前硅太阳能电池已经到达其理论效率的极限，但他相信单片集成的III-V族电池的效率

III-V族化合物薄膜电池研究与预测● 染料敏化纳米晶(DSSC)电池实用化及产业化研究● 薄膜电池的质量控制和检测标准● 薄膜太阳能电池设备的技术进步 专题系列二: 太阳能电池的应用（12月3日）第一部

：薄膜电池的技术发展与前景●国内外薄膜太阳能电池新进展●硅基薄膜电池技术突破及转换效率优化●CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池研究与预测●染料敏化纳米晶(DSSC)电池实用化及产业化研究