笔者采访了6月15～17日在京都举行的半导体元件技术国际会议“2009 Symposium on VLSI Technology”（以下称VLSI研讨会）。由于听闻不久前在美国举行的显示器展会“SID 2009”的大部分演讲会场都出现了明显的空座现象，笔者猜想到，VLSI研讨会也许会发生类似的情况。
VLSI研讨会开幕后，与会者人数的确少于往年，但会场仍与往年一样充满活力。笔者几乎每年都报道VLSI，此次直到最后一天也“没有感到乏味”。尽管开幕之前就报道了VLSI研讨会与往届的不同之处，但未感到乏味可能是由于以逻辑LSI为主的“新技术”的论文增加了的缘故。
就在2～3年前，大部分研讨会还都以应变硅及high-k/金属栅极等最近的技术为对象，到了会议后半期就会“令人乏味”。而此次从Ge到III-V族半导体、石墨烯及Post-CMOS元件，可谓应有尽有。是否能推出产品姑且不论，整个半导体产业在设法挖掘产业潜力的态度可略见一斑。
在此次允许持有“自由想法”的研讨会上，只有一场会议气氛比较压抑。那就是最后一天上午举行的NAND型闪存相关会议（Session10A）。共发表了4篇论文，其中3篇来自于市场份额居首位的韩国三星电子（Samsung Electronics）（其中一篇与美国加利福尼亚大学联名发表），另一篇则来自于该公司的竞争对手东芝，业界双雄难以决出胜负。之所以用“气氛压抑”来形容，是因为笔者感到，大多数NAND型闪存技术人员“完全看不清今后的技术发展趋势”。
NAND型闪存在几乎以一年半时间升级一代的速度实现微细化的同时，也在不断接近微细化的极限。目前的现状是，微细化会继续进行到什么程度，之后的技术方案是什么，“任何人都不是很清楚”（知名闪存厂商的技术人员）。三星的3篇论文充分考虑了这种情况。此次发表的技术都沿着三维方向重叠存储单元，达到微细化极限之后仍能进一步扩大容量。每位演讲者都极力强调，这些技术均比东芝在前一天举行的重点会议（Session7）上发表的三维NAND型闪存技术具有优势。在台下认真倾听的笔者也不禁兴奋起来，觉得演讲“十分有趣”。
笔者十分乐于报道半导体业界的信息，但08年发生雷曼事件以后，报道的都是令人心情沉重的新闻。这种情况下，在此次的VLSI研讨会上，至少技术开发现场使笔者产生了积极的想法，“半导体技术人员还有很多工作要做，报道这些信息的媒体同样有许多工作要做”。（记者：大下 淳一）
