美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布，公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池，标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池量产方面获得突破。
去年RFMD开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作，以NREL的电池设计知识产权为基础，开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程。RFMD计划2012年开始投产，成为CPV(聚光光伏)电池低成本生产的先驱，使CPV市场能在每瓦生产成本方面与普通晶硅及薄膜技术一决高下。
NREL负责人Dan Arvizu表示，"NREL与RFMD的合作表明我们致力于开发可再生能源技术，并与优秀的伙伴合作将每项技术推向市场、投入应用。衷心祝贺RFMD所取得的成就，实现了技术性能上的首座里程碑。"
RFMD预期该项目将由"基础阶段"转入"技术示范阶段"，并将应用NREL的知识产权与技术。实验室已证明该太阳能电池转换效率最高可达40.8%。
6英寸晶片是III-V族半导体量产中使用的最大尺寸晶片。目前复合太阳能电池的制造仍使用较小尺寸晶片及低效率生产设备。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201003/17/9480.html
