GaAs
星经济性。研究显示，目前常用的 InGaP/GaAs/Ge 三结电池比功率仅为 0.4 W/g，且在接受高能质子照射后，性能下降约 25%，难以满足未来多任务、多环境的商业航天需求。重量方面，传统
环境污染。(2) 第二代，薄膜电池技术。以铜铟镓硒 (CIGS)、碲化镉 (CdTe) 和砷化镓 (GaAs) 等材料为代表。虽然历经许多岁月，但看起来还没有硅基电池技术那样遍地都是。原因很多
材料的发展的关键发展里程碑包括：1996年，Gibart等人通过在GaAs太阳能电池背面应用100μm厚的Er³⁺/Yb³⁺共掺杂玻璃陶瓷层实现了初步探索。2002年，新南威尔士大学的Trupke和
传统半导体(如Si、GaAs)相比，钙钛矿的带隙随温度的变化趋势是相反的，且变化范围很大。钙钛矿半导体材料的带隙随温度的变化曾主要被归因于晶格热膨胀带来的带隙增加，而非单调变化行为即被简单理解为结构
有限公司成立于2017年12月，注册资本金50亿元，是三安光电股份有限公司旗下全资子公司。泉州三安地处南安市石井半导体产业园，规划建设用地约2500亩，总投资333亿元。项目建设终期，将形成GaN业务、GaAs业务、集成电路业务、特种应用业务四大业务板块。
1. 钙钛矿电池前景广阔1.1 晶硅电池逐步接近效率天花板常用的光伏材料有 Si、Ge、CIGS、CdTe、GaAs 等，其中硅元素在自然界中资 源丰富，可大量用于光伏行业。同时硅由于其禁带宽度为
。薄膜电池是指在玻璃或柔性基底上沉积若干层，构成 PN 结或 PIN 结的半
导体光伏器件。其核心是吸收层材料，目前主要包括硅基薄膜、铜铟镓硒(CIGS)、
碲化镉(CdTe)、砷化镓(GaAs
cm-2，FF为82.53%(图 4f)。在相同的1002 lux下，该PCE 高于对照电池(PCE为 38.01%)。比较了迄今为止报道的PSC、OPV、DSSC、a-Si、GaAs
了一种名为“声波剥落”新的制造工艺，，它可以潜在地降低生产高效III-V型光伏电池的成本。与使用牺牲蚀刻层将光伏电池从砷化镓(GaAs)基板上剥离的现有方法不同，声学剥落使基板内几乎平行于其表面的可控断裂
：CIS太阳能电池是使用硒化铜铟镉化合物作为吸收层材料。它具有高效率、稳定性好和环保等特点。氨化铟镓(GaAs)太阳能电池：GaAs太阳能电池使用氨化铟镓化合物作为吸收层材料。它具有高效率和高稳定性，但
优先选择。直到 21 世纪初期，砷化镓 (GaAs) 太阳电池技术取得突破性进展，该类太阳电池以高光电转换效率、耐太阳高能辐照、稳定性强等特点成为航天领域应用太阳电池的首选。这为 p型晶体硅
