GaAs
、GaAs业务、集成电路业务、特种应用业务四大业务板块。厦门太古&清源科技厦门太古发动机服务有限公司(下文简称厦门太古)及厦门太古起落架维修服务有限公司不仅严格把控供应商入围标准，同时对光伏电站合作项目
中具有浓墨重彩的一部分。薄膜电池按材料种类不同可分为硅基(a-Si)、碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)、砷化镓(GaAs)薄膜电池等，其中碲化镉薄膜电池组件是商业化最成功的一种，也是在全球光伏
部分的太阳光谱。其顶部结由磷化镓铟(GaInP)制成，中间是带有量子阱的砷化镓(GaAs)，底部是晶格不匹配的砷化镓(GaInAs)。经过数十年的研究，每种材料都经过了高度优化。
高级科学家和光伏电池
设计师France说，一个关键因素是，虽然砷化镓(GaAs)是一种出色的材料，通常用于制作III-V多结电池，但它并不适合三结光伏电池的带隙，这意味着在光电流平衡方面并不是最佳的。在这里，我们通过
挪威科技大学(NTNU)的研究人员开发出一种新型的超高效光伏电池材料，其效率有望比目前的光伏组件提高一倍以上。
在ACS光子学杂志上发表的一篇论文中，研究人员发现使用砷化镓(GaAs)制造的
的光伏组件，从而降低成本。
砷化镓GaAs电池一直被认为效率最高的光伏电池，由于其在元素周期表上的位置也得名为III-V太阳能电池，其超高的光电转化效率让它在空间应用中常用。今年8月
挪威科技大学(NTNU)的研究人员开发出一种新型的超高效光伏电池材料，其效率有望比目前的光伏组件提高一倍以上。
在ACS光子学杂志上发表的一篇论文中，研究人员发现使用砷化镓(GaAs)制造的
的光伏组件，从而降低成本。
砷化镓GaAs电池一直被认为效率最高的光伏电池，由于其在元素周期表上的位置也得名为III-V太阳能电池，其超高的光电转化效率让它在空间应用中常用。今年8月
，然后再将它们在压力下压在一起。III-V 族半导体层中的原子与硅形成键，成为电池， GaInP、AlGaAs 和硅子电池通过隧道二极管互连，堆叠在一起。最后使用湿化学去除 GaAs 衬底，连接
III-V 族半导体层 (GaInP/GaAs) 是另一种用于制造多结光伏电池的方法。
与Wafer-bonding相比，该过程涉及的工艺步骤要少得多，在硅上直接生长可以避免使用昂贵的 砷化镓
据报道，世界三大再生能源研究机构之一的德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)使用了一种由砷化镓(GaAs)制成的薄光伏电池，获得了68.9%的转化效率，这是迄今为止在光能
太阳能电池，砷化镓GaAs电池一直被认为效率最高的光伏电池，其超高的光电转化效率让它在空间应用中常用。 图：砷化镓外延片 由于砷化镓高昂的制造成本，地面光伏电站极少使用
)、砷化镓(GaAs)、钙钛矿电池及有机薄膜电池等。
相较于晶硅太阳能电池，薄膜太阳能电池材料消耗少、制备能耗低、生命周期结束后可回收、电池和组件生产在一个车间内完成，由于可在柔性衬底上制备，具有可卷曲
实验室最高转换效率分别达到23.4%及22.1%，量产组件转换效率也均达到或超过15%，发展前景已被业内广泛看好。具有超高转换效率的GaAs太阳能电池，凭借着其耐高温、耐辐射等特点，在空间应用、无人机
太阳能电池的目标迈进一大步。
砷化镓(GaAs)和其他III-V材料(按照它们在元素周期表中的分组命名)是广为人知的高性能太阳能电池材料，它们在转换效率综合记录中占据大多数席位。
但它们通常高达数百
了实现这个目标的一些方法。
让GaAs层生长在硅衬底上是一个非常有前景的方式，能够剔除昂贵的锗原料，同时允许更大规模的生产。但这个方式生产的电池层瑕疵很多，限制了在太阳能电池中的性能。
加拿大舍
