Ge衬底
(Ge)、硒(Se)和硫化锡(Sns)的异质结构组成，并将零价铜(Cu)原子插入在材料层中。CuxGeSe/SnS量子材料具有介于0.78eV和1.26eV之间的中间能带隙。利用这一点，研究人员设计并建模
仿真了一种采用该材料作为有源层的薄膜光伏电池。在这一建模中，光伏电池采用氧化铟锡(ITO)衬底、基于氧化锌(ZnO)的电子传输层(ETL)、
CuxGeSe/SnS吸收层以及金(Au)触点。研究
1. 钙钛矿电池前景广阔1.1 晶硅电池逐步接近效率天花板常用的光伏材料有 Si、Ge、CIGS、CdTe、GaAs 等，其中硅元素在自然界中资 源丰富，可大量用于光伏行业。同时硅由于其禁带宽度为
主流方向。狭缝涂布具备多重优势：1)大面积制备;2)工艺窗口宽、良率高;3)能在绒 面衬底上成膜，可以制备叠层电池;4)结晶从预置的晶核开始，分布均匀;5)形核、
晶粒生长分两步前后完成;6)不受
折叠式的太阳能电池板为自己充电，虽然我们猜测不出2700年太阳能电池技术已经进化到了第几代，但从上面的截图来看，还是以圆形晶片为衬底的。这种折叠形式的便携野外充电用的组件也已经有实际产品出现在我们的
生活中了。
而现实生活中，与WALLE最相似的要数美国的火星探测机器人勇气号和机遇号了，这两个火星机器人于2004年登录火星，上面搭载了三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池，在任务开始时，电池效率
，有实验数据表明，砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常工作，但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。 3、机械强度和比重 砷化镓较硅质在物理性质上要更脆，这一点使得其加工时比容易碎裂，所以，常把其制成薄膜，并使用衬底(常为Ge)，来对抗其在这一方面的不利，但是也增加了技术的复杂度。
两者的优化，制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料。作为窗口层应用到HIT太阳电池中，对其厚度进行优化，在n型单晶硅衬底上制备出了效率为14.28%的HIT太阳电池。文献中何悦等利用热
c-Si∶H层，可以降低表面接触势垒，使效率得到提高。文献中在铝背电极和不锈钢衬底之间插入一层缓冲层使得太阳能电池的开路电压和短路电流得到提高。
3.3 热氧化法
在太阳电池制造过程中，将已经形成
室内，而达到暖房效果。太阳能发电即直接将太阳能转变成电能，并将电能存储在电容器中，以备需要时使用。【空间太阳能电源】第一个空间太阳电池载于1958年发射的Vangtuard I，体装式结构，单晶Si衬底
/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结太阳电池◎ 聚光电池GaAs
装式结构，单晶Si衬底，效率约10%(28℃)。到了1970年代，人们改善了电池结构，采用BSF、光刻技术及更好减反射膜等技术，使电池的效率增加到14%。在70年代和80年代，地面太阳电池大约每5.5
太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结
“切削”白白浪费。由于硅料成本昂贵，不少企业都尝试寻求不需要切割的工艺方法。直接硅片的工艺，业界有一个专有名词叫KERFLESS，不用切割的硅片。如夏普、GE、拜耳都做过一些尝试，但是他们解决不了其中
50％的转化效率，这个效率通过多节电池叠层电池实现的。当你需要实现这一点，你就需要一个很便宜的衬底材料，我们觉得直接法硅片是有希望成为成本比较低的衬底材料做成叠层电池，这是长久的未来。” Frank表示。
，不用切割的硅片。如夏普、GE、拜耳都做过一些尝试，但是他们解决不了其中应力的问题。应力的问题不仅让效率不高，同样会导致整个机械过程之中的破片会比较高。而1366完全解决了应力的问题，使得效率不断提升
彼得表示。
从长远来看，我们觉得光伏未来效率确实需要做到很高，卫星上可以做到将近50%的转化效率，这个效率通过多节电池叠层电池实现的。当你需要实现这一点，你就需要一个很便宜的衬底材料，我们觉得直接法硅片是有希望成为成本比较低的衬底材料做成叠层电池，这是长久的未来。 Frank表示。
技术已经进化到了第几代，但从剧照来看，还是以圆形晶片为衬底的。这种折叠形式的便携野外充电用的组件也已经有实际产品出现在我们的生活中了
而现实生活中，与WALLE最相似的要数
美国的火星探测机器人勇气号和机遇号了，这两个火星机器人于2004年登录火星，上面搭载了前文提到的三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池，在任务开始时，电池效率为27.5%
不过早在2012年
