GaAs

太阳能电池的目标迈进一大步。 砷化镓(GaAs)和其他III-V材料(按照它们在元素周期表中的分组命名)是广为人知的高性能太阳能电池材料，它们在转换效率综合记录中占据大多数席位。 但它们通常高达数百
了实现这个目标的一些方法。 让GaAs层生长在硅衬底上是一个非常有前景的方式，能够剔除昂贵的锗原料，同时允许更大规模的生产。但这个方式生产的电池层瑕疵很多，限制了在太阳能电池中的性能。 加拿大舍

生活中了。 而现实生活中，与WALLE最相似的要数美国的火星探测机器人勇气号和机遇号了，这两个火星机器人于2004年登录火星，上面搭载了三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池，在任务开始时，电池效率

(InGaP)/砷化镓(GaAs)/镓砷长波长(GaInNAsSb)三联太阳能电池提供动力，经过了48小时的测试。虽然效率高，但是设备复杂，成本高，使其无法应用于实际。而由传统硅光伏模块和碱性电解槽制成的PV电解系统的STH效率通常低于10%。

(GaAs)和磷化铟镓(GaInP)来制造太阳能电池将后者作为窗口层来钝化正面，同时允许光穿过砷化镓吸收层。但是，磷化铟镓层不像可以在MOVPE反应器中轻松生长的磷化铝铟层那样透明。 采用磷化铝铟窗口层

。然而由于不能掺入铝元素层意味着电池效率下降。 通过D-HVPE技术，NREL能够使用砷化镓(GaAs)和磷化铟镓(GaInP)来制造太阳能电池将后者作为窗口层来钝化正面，同时允许光穿过砷化镓吸收层

砷化镓GaAs电池一直被认为效率最高的光伏电池。然而，由于其高昂的制造成本，砷化镓电池只配航天空间站拥有，地面光伏电站从未奢想过。 然而，这个宿命，似乎正在被NREL的科学家打破。根据TestPV
生长的GaAs太阳能电池目前的世界效率记录是29.1%。 利用D-HVPE，NREL的科学家们能够用砷化镓(GaAs)和磷化镓(GaInP)制造太阳能电池。在这些电池中，GaInP被用作窗口层，它使

)和砷化镓(GaAs)技术，及全球领先的装备产线制造技术及研发能力。 Solibro是汉能并购的第一家海外公司，它曾是德国光伏巨头Q-Cells旗下全资子公司。该公司是CIGS薄膜太阳能

美国空军实验室合作开展，因而其另一重要应用是卫星用的高效砷化镓(GaAs)光伏电池。在III-V材料光伏电池的生产中，研究人员开发的一种称为Metzilla Plate的工艺技术取代了光刻和真空镀膜工艺

(GaAs)电池、铜铟镓硒(CIGS)电池、钙钛矿(Perovskite)电池和有机(Organic)电池等5大类型，12种不同结构太阳电池的中国最高效率。其中，5种结构太阳电池的中国效率也是该类电池
至22.8%，单晶硅PERC电池效率由23.1%提升至24.03%，HIT电池效率由23.7%提升至24.85%，TOPCon电池效率由23.1%提升至24.58%，单结GaAs电池效率由28.8%提升

因此掌握了全球最领先的铜铟镓硒(CIGS)和砷化镓(GaAs)技术，同时也掌握了全球领先的装备生产制造技术及研发能力，并将量产装备整机国产化率提高到接近100%。 李河君在薄膜太阳能领域的布局，为汉能
提供了足够的核心竞争力。2018年初，汉能一举破了三项薄膜太阳能光电转换效率的世界纪录： 单结砷化镓(GaAs)薄膜太阳能量产组件光电转化效率达到25.1%，玻璃基大面积铜铟镓硒(CIGS)薄膜组件