GaAs
形式，到第二代非晶矽、砷化镓（GaAs）等其它半导体材料，以薄膜化或多接面串接来提升转换效率，逐渐进化到强调低成本、制程设备与原料取得容易，且可弯挠的第三代太阳能电池，而其中以「染料敏化太阳能电池
有限公司具备坚实的太阳电池技术研究基础，产品覆盖电池外延、接收器、聚光组件和光伏系统，是目前国内唯一一家覆盖光伏行业全产业链的公司。公司研制的GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池AM0下光
使光子不会在电池片内丢失-对于提高太阳能电池产生的电压有自然效果。原型效率从26％提高跃至28.3％Yablonovitch共同创办的阿尔塔设备，使用了新概念，创建出一个用砷化镓（GaAs）一种经常
新概念，创造了一种原型太阳能电池，采用的是砷化镓（GaAs：gallium arsenide），这种材料常用于制造卫星太阳能电池。这个原型打破了世界纪录，效率从26％跳到28.3％。这家公司取得了这一
(GaAs)基板上形成含有量子点构造的发电层，并以200度C的温度将其黏合在塑胶制基板上，之后再将砷化镓基板取下，使其具备可弯曲特性。报导指出，Sharp采用的黏合材料为使用银奈米粒子的导电性环氧树脂
研发团队在2011年进行的推算，设置4个以上中间带可将理论单元转换效率提高至近80％。 此次采用MOCVD（有机金属化学气相沉积法）在GaAs基板上制成层叠了五层InGaAs/GaAs类量子点层的
设计。 此次开发的太阳能电池单元的开路电压为0.9V，填充因子（FF）为0.8。据荒川介绍，今后将把量子点的母材换成带隙大于GaAs的GaN和InGaAsP，同时还将优化量子点的层叠数和母材质
单元中组合使用了InGaP、GaAs和InGaAs。制造方法也采用了与2009年相同的方式。之所以沿用相同的构造和制造方法仍能提高转换效率，是因为减少了连接顶层、中层和底层之间的隧道结部分的串联电阻
单元、中层单元和底层单元中组合使用了InGaP、GaAs和InGaAs。制造方法也采用了与2009年相同的方式。之所以沿用相同的构造和制造方法仍能提高转换效率，是因为减少了连接顶层、中层和底层之间的
索比光伏网讯:薄膜太阳能电池虽成本低廉，惟在商业应用方面受制于转换效率上限，应用多仅限于日照强度高且密集的地区，不过美国科学家已透过砷化镓(GaAs)材料，研发出最高转换效率达到28.4%的
最高转换率。 夏普公司采用三种化合物（上层InGaP、中层GaAs、底层InGaS）叠加的方式于2009年10月份就实现了35.8%的转换效率。经过两年的研究，解决了结合部连接层衰减的问题
