GaAs

转换效率为8～9％，但在决定太阳能电池转换效率的重要参数填充因子（FF）方面，不少企业的产品已经达到了0.8左右的高值。虽然0.8以上的FF已在高效率结晶硅型太阳能电池及GaAs类化合物太阳能电池

18.6%（4cm2），InGaP/GaAs双结电池30.28%（AM1），非晶硅电池14.5%（初始）、12.8（稳定），碲化镉电池15.8%，硅带电池14.6%，二氧化钛有机纳米电池10.96
%（10cm10cm），GaAs电池20.1%（lcmcm），GaAs/Ge电池19.5%（AM0），CulnSe电池9%（lcm1cm），多晶硅薄膜电池13.6%（lcm1cm，非活性硅衬底），非晶硅电池8.6

为什么还有人在坚持薄膜电池的研发。除空间应用的化合物薄膜电池（如GaAs等）之外，最近几年用于地面应用的薄膜电池技术有四种：多晶硅薄膜、非晶硅薄膜、铜铟镓硒（CIGS）多晶薄膜和碲化镉（CdTe）多晶

的几种薄膜电池技术以及它们的发展概况, 从中你可能会了解到为什么还有人在坚持薄膜电池的研发。 除空间应用的化合物薄膜电池（如GaAs等）之外，最近几年用于地面应用的薄膜电池技术有四种：多晶硅

，夏普公司2013年5月发布的达到44.4％全球最高单元转换效率的单元，就是重叠了InGaAs、GaAs和InGaP三种子单元的三结型注1）电池。 注1）聚光倍率为302倍的条件下测量的数值。单元面积

范围的太阳光。比如，2013年5月夏普研发的达到44.4%的全球最高单元转换效率的单元，就是重叠了InGaAs、GaAs和InGaP三种子单元的三结型注1)电池。注1)聚光倍率为302倍的条件下测量的

带隙的材料，能充分利用广泛波长范围的太阳光。比如，2013年5月夏普研发的达到44.4％的全球最高单元转换效率的单元，就是重叠了InGaAs、GaAs和InGaP三种子单元的三结型注1）电池。 注1

产品则为薄膜太阳能电池，主要构成材料分别为非晶矽(Amorphous Si)、碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)等。第三代即为三五族(III-V)电池，如砷化镓(GaAs)太阳能电池因具有良好的

，剥离层直接沉积在砷化镓（GaAs）基底上，再将多结太阳电池沉积在剥离层上。太阳电池的外延结构可以从基底上无损伤移除，而且背面电极给剥离后的太阳电池提供了机械支持。因为砷化镓（GaAs）基底可以在其