GaAs
、中层的GaAs电池和底层的Ge电池带隙分别为1.86eV、1.40eV和0.65eV。在顶层和中层相邻两个电池间设有宽带隙的异质结构隧道结，使得入射光能顺利通过顶层电池到达中层的GaAs电池。同时
光伏市场中会有很好的发展前景。作为第三代新型高效太阳能电池的典型代表，GaAs叠层太阳能电池的发展是与CPV系统紧密相连的。与传统的晶硅电池发电系统相比，CPV产业还处于起步阶段，全球CPV装机容量还不
耐用、对环境无危害等优点，在未来的光伏市场中会有很好的发展前景。 作为第三代新型高效太阳能电池的典型代表，GaAs叠层太阳能电池的发展是与CPV系统紧密相连的。与传统的晶硅电池发电系统相比，CPV
的科学家合作研究如何让砷化镓（GaAs）太阳能电池取代硅太阳能电池。Trio表示，从矿体中获取的砷用于砷化镓太阳能电池的研究，将集中进行环境的改善。 该公司说GaAs太阳能电池板需要低电压进入饱和，具有
研究如何让砷化镓（GaAs）太阳能电池取代硅太阳能电池。 Trio表示，从矿体中获取的砷用于砷化镓太阳能电池的研究，将集中进行环境的改善。 该公司说GaAs太阳能电池板需要低电压进入饱和，具有
索比光伏网讯:GaAs太阳电池的发展是从上世纪50年代开始的，至今已有已有50多年的历史。1954年世界上首次发现GaAs材料具有光伏效应。在1956年，LoferskiJ.J.和他的团队探讨了制造
太阳电池的最佳材料的物性，他们指出Eg在1.2～1.6eV范围内的材料具有最高的转换效率。目前实验室GaAs电池的效率最高已经能够达到50%。GaAs太阳电池是一种Ⅲ~Ⅴ族化合物半导体太阳电池，与Si
又分为非结晶形(a-Si:H,a-Si:H:F,a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族(Cds系)和磷化锌(Zn 3 p 2 )等。太阳能电池根据所用材料的不同
单晶矽电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体矽太阳能电池最理想的替代产品。砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料
光伏市场中会有很好的发展前景。作为第三代新型高效太阳能电池的典型代表，GaAs叠层太阳能电池的发展是与CPV系统紧密相连的。与传统的晶硅电池发电系统相比，CPV产业还处于起步阶段，全球CPV装机容量
太阳电池的实验室效率最高水准为：单晶硅电池24%(4cm2)，多晶硅电池18.6%(4cm2)，InGaP/GaAs双结电池30.28%(AM1)，非晶硅电池14.5%(初始)、12.8(稳定)，碲化镉电池15.8%，硅带电池14.6%，二氧化钛有机纳米电池10.96%。
达到42.5％，在上面再重叠其他材料的话还可进一步达到47.5％。 在候选材料方面，格林提到了宇宙用途及聚光系统使用的GaAs等III-V族材料、不使用In的薄膜化合物型太阳能电池使用的CZTS，以及在染料敏化
