GaAs

，具有极多的种类和各种特性，这个特点有利于开发不同特性、各具特色的太阳能电池。具有代表性 的化合物太阳能电池是砷化镓（GaAs）太阳能电池，其特点是高效率、耐辐照，是重要的宇宙空间用太阳能电池。小面积多结
单晶GaAs太阳能电池的最高转 换效率已经达到38%，但由于其原材料成本与Si系相比较高，资源量极其有限，这极大限制了它在地面的应用。以III-V族化合物中另一代表性的化合物电池是InP太阳能电池。与

太阳能电池是砷化镓(GaAs)太阳能电池，其特点是高效率、耐辐照，是重要的宇宙空间用太阳能电池。小面积多结单晶GaAs太阳能电池的最高转 换效率已经达到38%，但由于其原材料成本与Si系相比较高，资源量
极其有限，这极大限制了它在地面的应用。以III-V族化合物中另一代表性的化合物电池是InP太阳能电池。与GaAs相比，它不需要制成异相机结构。此类电池的最高转换效率已经达到22%，但大部分研究结果显示为

。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和LPE技术，其中
MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错、反应压力、III-V比率、总流量等诸多参数的影响。 除GaAs外，其它III-V化合物如Gasb、GaInP等电池材料也得到了开发。1998年德国费莱堡

转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1．4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和
LPE技术，其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错、反应压力、III-V比率、总流量等诸多参数的影响。 除GaAs外，其它III-V化合物如Gasb、GaInP等电池材料也得到了开发。1998

砷化镓（GaAs）-一种经常使用于卫星的电池片材料，原型太阳能电池。原型打破了世界纪录，效率从26%提高到28.3%。Yablonovitch预计，研究人员将在未来几年内能够实现效率接近30%。伯克利

使光子不会在电池片内丢失-对于提高太阳能电池产生的电压有自然效果。原型效率从26%提高跃至28.3%Yablonovitch共同创办的阿尔塔设备，使用了新概念，创建出一个用砷化镓(GaAs)-一种经常

以及光接口。已经被客户证明能够很好的满足通信应用指标并且提供高质量的光以及电信号。塑料BOSA以及双通道组件能够灵活提供多模850nm以及980nm的发射以及相对应GaAs和InGaAs接受端的组合
Optowell公司，拥有晶体生长和器件封装的核心技术，是1.25G、2.5G、4.25G、10G VCSEL TOSA & GaAs ROSA的主流供应商。其产品可用于塑料光纤、自由空间光通信以及

，2000 年完成的第一阶段实验，接近与完全聚光PV 模块原型制造过程。使用RXI 光学聚光器1000 倍聚光，使用GaAs 单结电池（25%）；使用高效率高倍聚光系统实现了商业光伏系统安装（10MWp）成本

(galliumarsenide)化学式GaAs，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。因价格昂贵，砷化镓素有半导体贵族之称。砷化镓到底有多贵?在同样的环境下，用砷化镓制造

聚光的原因来源于CPV实际产业化实验成本分析，以西班牙NFLATCOM项目为例，2000年完成的第一阶段实验，接近与完全聚光PV模块原型制造过程。使用RXI光学聚光器1000倍聚光，使用GaAs单结电池