GaAs

国产化。汉能集团研发团队在国产化道路上更加注重创新性研发，自主研发的GaAs薄膜太阳能电池核心设备MOCVD(气相外延生长技术)，在原有并购技术基础上进行技术提升，将单机产能从KW级提升到级，目前这台设备

达到50％的市场份额。有朋友曾对此提出疑议，他认为：单晶组件的市场份额提高，并非是政策因素，而是单晶的技术先进性。对此，个人看法是：1）GaAs的转化效率可以高达34．5％，但商业化市场应用几乎没有

曾对此提出疑议，他认为：单晶组件的市场份额提高，并非是政策因素，而是单晶的技术先进性。对此，个人看法是：1)GaAs的转化效率可以高达34.5%，但商业化市场应用几乎没有，可见高效率的吸引力不如

电池技术世界纪录。但是还面临将此实验室研究技术创新投入到批量生产的挑战。编辑点评：2015年，中国的汉能薄膜将美国Alta Devices公司收为旗下，当时Alta Devices掌握的砷化镓（GaAs）柔性
真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密接合，形成以硅材为基础的次电池。而透过堆叠磷化铟镓（GaInP）、砷化镓（GaAs）、硅（Si）等三种次电池所构成的多接合电池，能吸收更广光谱的太阳光

硅的多结太阳能电池，由各太阳能电池单元材料相互重叠构成。即隧道二极管将镓铟磷（GaInP）、砷化镓（GaAs）、硅三个材料层进行内部连接，以覆盖太阳光谱的吸收范围。最上面的GaInP层吸收300
～670nm波长、中间的GaAs层吸收500～890nm波长、最下层的硅吸收650～1180nm波长的太阳光，并将其转换为电力。Ⅲ-V族半导体层是在GaAs基板上外延析出形成，与硅基板接合。虽然从外观无法

发电技术，其转化率如何？在今年7月2日汉能太阳能汽车全球发布会上，汉能控股集团副总裁、首席技术官丁建博士代表汉能领取了由世界纪录协会颁发的柔性砷化镓（GaAs）双结薄膜电池转化率31.6%的《世界纪录证书》，这

表面的次电池(subcell)将呈现真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密接合，形成以硅材为基础的次电池。透过堆叠磷化铟镓(GaInP)、砷化镓(GaAs)、硅(Si)等三种次电池所构成的