GaAs

Solar Energy公司及美国Alta Devices公司，汉能薄膜发电已掌握了全球最领先的铜铟镓硒(CIGS)和砷化镓(GaAs)技术，同时也掌握了全球领先的装备产线制造技术及其研发能力，这成为

Devices公司，汉能薄膜发电已掌握了全球最领先的铜铟镓硒（CIGS）和砷化镓（GaAs）技术，同时也掌握了全球领先的装备产线制造技术及其研发能力，这成为了公司竞争优势的重要来源。2016年，公司不断向上

太阳能电池就是汉能的Alta薄膜电池。Alta薄膜电池技术来自美国薄膜公司Alta Devices，它主攻砷化镓（GaAs）技术，于2014年被汉能收购。资料图：太阳能无人机。再说回SolAero，早期

量产效率再创新高，业绩期内一举摘得五项世界纪录，其中，美国子公司Alta Devices的砷化镓(GaAs)技术占据三项，分别是量产组件效率24.8%、单结电池最高转化率28.8%和双结电池最高转化率
CIGS和GaAs电池的转换率，同时不断改进上述技术路线的产线研发与制造能力。目前，汉能薄膜已在薄膜产线核心装备领域拥有独立自主知识产权，已具备了GW级的高端装备年度交付能力，高端装备国产化比例大幅提升

五项世界纪录 过去一年，汉能薄膜各技术路线研发和量产效率再创新高，业绩期内一举摘得五项世界纪录，其中美国子公司Alta Devices的砷化镓(GaAs)技术占据三项，分别是量产组件效率24.8
竞争力的薄膜太阳能技术，通过持续的投入与研发，进一步提升CIGS和GaAs电池的转换率，同时不断改进上述技术路线的产线研发与制造能力。目前，汉能薄膜已在薄膜产线核心装备领域拥有独立自主知识产权，已具备了

使用MiaSolé柔性电池铺设于卡车顶上，为卡车停车时提供电力用于冷链物流，从而减轻营运成本。业绩报告显示，2016年，汉能薄膜美国子公司Alta Devices的砷化镓(GaAs)达到了量产组件效率

半导体材料表面的原子与硅原子形成键，生成单片元件。 多结电池由镓铟磷(GaInP)、砷化镓(GaAs)以及硅(Si)这三个电池单元构成，单元间相互堆叠，以覆盖太阳光谱的吸收范围。Ⅲ-V族半导体层在
GaAs基板上外延析出形成，与硅太阳电池结构接合。 尽管内部工作原理极其复杂，但电池外观普通，因而有希望能通过常用的简单前后接点，极快地整合入一个标准的光伏组件。 2016年初，澳大利亚新南威尔士大学的

与硅原子形成键，生成单片元件。多结电池由镓铟磷(GaInP)、砷化镓(GaAs)以及硅(Si)这三个电池单元构成，单元间相互堆叠，以覆盖太阳光谱的吸收范围。Ⅲ-V族半导体层在GaAs基板上外延析出形成

就能与硅原子紧密结合为一体。除此之外，这款电池依序堆叠磷化铟镓(GaInP)、硅(由三五族半导体转化而来)、砷化镓(GaAs)等三种材料，能吸收更广泛的太阳光谱，提高转换效率。虽然内部结构相当复杂，但Fraunhofer ISE的研究人员表示，其外表跟一般的产品相去不大，因此可与传统太阳能电池结合。