GaAs

教授这次在量子点层上形成了InGaP层，用来吸收过去射入量子点周围的GaAs的部分光。由于量子点层与InGaP层是串联的，因此能减小电流量，提高电压。今后，冈田教授打算提高聚光倍率，以确认发热的影响是否减小。

很快能达到与多晶硅一致的量产效率水平。　　CIGS薄膜电池将成主角众所周知，目前几种流行的薄膜电池材料分别是砷化镓（GaAs）、碲化镉（CdTe）、硅基薄膜、CIGS（铜铟镓硒）等。对于选择何种

，第一个透镜是由大约2cm见方的透镜粘接而成，第二个透镜（右下角放大图像）是直径为2mm的球形透镜，通过两个透镜的共同作用来实现1000倍的聚光。这次的光伏电池各层的构成为InGaP/GaAs
/InGaAsNSb/Ge，能够用来发电的波长范围十分广泛，覆盖了300nm～1700nm的范围。下面来介绍一下具体制作流程。首先，在GaAs基板上制作InGaP/GaAs/InGaAsNSb三结元件。然后通过蚀刻

，通过两个透镜的共同作用来实现1000倍的聚光。这次的光伏电池各层的构成为InGaP/GaAs/InGaAsNSb/Ge，能够用来发电的波长范围十分广泛，覆盖了300nm～1700nm的范围。下面来介绍
一下具体制作流程。首先，在GaAs基板上制作InGaP/GaAs/InGaAsNSb三结元件。然后通过蚀刻方式，熔解GaAs基板与光伏电池之间的AlInP层，使GaAs基板容易剥离。另一方面，在形成

光伏电池各层的构成为InGaP/GaAs/InGaAsNSb/Ge，能够用来发电的波长范围十分广泛，覆盖了300nm～1700nm的范围。下面来介绍一下具体制作流程。首先，在GaAs基板上制作InGaP
/GaAs/InGaAsNSb三结元件。然后通过蚀刻方式，熔解GaAs基板与光伏电池之间的AlInP层，使GaAs基板容易剥离。 开发的四结光伏电池（摄影：Xing Sheng, 伊利诺伊大学

光伏电池各层的构成为InGaP/GaAs/InGaAsNSb/Ge，能够用来发电的波长范围十分广泛，覆盖了300nm～1700nm的范围。下面来介绍一下具体制作流程。首先，在GaAs基板上制作InGaP
/GaAs/InGaAsNSb三结元件。然后通过蚀刻方式，熔解GaAs基板与光伏电池之间的AlInP层，使GaAs基板容易剥离。另一方面，在形成了pn结的Ge基板上沉积GaAs层并使其图案化。然后利用旋

挪威科技大学的最新研究表明，单根纳米线的微小改变能够大幅度提升LED和太阳能电池的效率。来自挪威科技大学的研究员DheerajDasa和HelgeWeman正在与IBM进行合作，研究结果使得砷化镓LED或光电探测器的效率得以大幅度提升，而这要得力于研究人员在实验室中成功生长出来的六方晶体结构，或称作纤维锌矿结构。这一研究成果已发表在《自然通讯》期刊上。挪威科技大学近年来在纳米线和石墨烯的研究方面

，此项技术使得CPV拥有在太阳光垂直入射条件下系统光电转换的最大效率。CPV电池是以砷化镓GaAs为代表的耐高温III-V族化合物组建而成，所以在低温及高温环境下衰减很低，电池成本因此降低

索比光伏网讯:光伏材料：solar cell materials，即太阳电池材料，指能将太阳能直接转换成电能的半导体材料，主要包括单晶硅、多晶硅、非晶硅、GaAs、GaAlAs、InP、CdS
、CdTe等。用于空间的有单晶硅、GaAs、InP，用于地面已批量生产的有单晶硅、多晶硅、非晶硅，其他尚处于开发阶段。目前致力于降低材料成本和提高转换效率，使太阳电池的电力价格能与火力发电的电力价格

对太阳光谱，在不同的波段选取不同带宽的半导体材料做成多个太阳能子电池，最后将这些子电池串联形成多结太阳能电池。下图是一个典型的多结太阳能电池示意图。其中顶层的InGaP电池、中层的GaAs电池和底层的Ge
电池带隙分别为1.86eV、1.40eV和0.65eV。在顶层和中层相邻两个电池间设有宽带隙的异质结构隧道结，使得入射光能顺利通过顶层电池到达中层的GaAs电池。同时提供高的结间势垒，防止两层中产生的