GaAs

（Alta Devices）并购。并购后，汉能将拥有砷化镓（GaAs）高效柔性薄膜技术，增强了在薄膜领域的技术实力。阿尔塔公司是位于美国加州的创业型公司，是世界领先的太阳能薄膜电池技术生产商，拥有电池片和组件
称，汉能收购砷化镓（GaAs）技术路线的研发公司，也是作为未来的技术储备。结合收购，将在美国投资设厂，促进技术应用和推广。汉能此前已经收购了三家海外技术公司，分别是2012年收购的德国Solibro

（CIGS）电池、砷化镓（GaAs）叠层电池等薄膜电池为代表的太阳能电池，以及以染料敏化电池-光电化学电池（Grātzel电池）、有机电池、多结（带隙递变）电池、热载流子电池等新型电池及新概念电池为代表的
薄膜电池、碲化镉（CdTe）薄膜电池、砷化镓（GaAs）薄膜电池和铜铟硒/铜铟镓硒（CIS/CIGS）薄膜电池四种。其中，非/微晶硅薄膜电池的光电转换效率最低，一般为6%-9%，原材料为硅烷，最易获取。CdTe

，最后将这些子电池串联形成多结太阳能电池。目前研究较多的III-V族材料体系，如InGaP/GaAs/Ge三结电池，所报导的转换效率可达42.8%左右。也有选取II-VI族材料的，但目前还处于研究阶段
。本文将主要介绍InGaP/GaAs/Ge等III-V族材料体系。 图1是一个典型的多结太阳能电池示意图。其中顶层的InGaP电池、中层的GaAs电池和底层的Ge电池带隙分别为1.86eV

子电池串联形成多结太阳能电池。目前研究较多的III-V族材料体系，如InGaP/GaAs/Ge三结电池，所报导的转换效率可达42.8%左右。也有选取II-VI族材料的，但目前还处于研究阶段。本文将主要
介绍InGaP/GaAs/Ge等III-V族材料体系。图1是一个典型的多结太阳能电池示意图。其中顶层的InGaP电池、中层的GaAs电池和底层的Ge电池带隙分别为1.86eV、1.40eV和

pn层。利用该技术可在Si类和CIGS类太阳能电池上层积III-V族pn结，因此能够以低成本制造高效率的太阳能电池。该小组制作了在CIGS类太阳能电池上层叠GaAs和GaInP双结太阳能电池的发电元件

太阳能电池上层叠GaAs和GaInP双结太阳能电池的发电元件，确认可获得24.2％的转换效率。 四结以上的多结太阳能电池由于晶格常数不同等原因，很难利用以往的晶体生长技术制作。因此，该研究小组开始
去除高分子材料。 接下来，剥离粘贴在这上面的顶部电池单元的基板，利用加重粘接法、即加压粘接的方法与底部电池单元粘合。 此次实际试制了两种太阳能电池。一种是GaInP、GaAs、InGaAsP

教授这次在量子点层上形成了InGaP层，用来吸收过去射入量子点周围的GaAs的部分光。由于量子点层与InGaP层是串联的，因此能减小电流量，提高电压。今后，冈田教授打算提高聚光倍率，以确认发热的影响是否减小。 原标题:日本东大的量子点太阳能电池的单元转换效率达到26.8％

上层叠GaAs和GaInP双结太阳能电池的发电元件，确认可获得24.2％的转换效率。四结以上的多结太阳能电池由于晶格常数不同等原因，很难利用以往的晶体生长技术制作。因此，该研究小组开始开发不利用晶体生长
的基板，利用加重粘接法、即加压粘接的方法与底部电池单元粘合。此次实际试制了两种太阳能电池。一种是GaInP、GaAs、InGaAsP、InGaAs四结太阳能电池，另一种是GaInP、GaAs、CIGS