GaAs

。LED产业主要原辅料有衬底材料(高纯Al2O3、GaAs/蓝宝石/SiC衬底)、MO源、高纯气体、光刻胶、金/银线、荧光粉、封装胶、环氧树脂等。目前，本土企业几乎可生产全部原辅料产品，但在高端原辅料

。位于硅基片之上的纳米线吸收太阳射线。纳米线极有可能成为未来太阳能电池的发展主流。(自哥本哈根大学尼尔斯波尔研究所) 左图为硅底质上GaAs纳米线晶体的扫描电子显微镜图;中间为透射式电子显微镜下的单个

索比光伏网讯: 位于硅基片之上的纳米线吸收太阳射线。纳米线极有可能成为未来太阳能电池的发展主流。上图为硅底质上GaAs纳米线晶体的扫描电子显微镜图;中间为透射式电子显微镜下的单个纳米线;下图是在扫描

环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1．4eV
，正好为高吸收率太阳光的值，因此，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和LPE技术，其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错、反应压力、III-V

GaAs类元件、GaN类元件及SiC类元件等。宇宙光伏发电系统使用相控阵天线（PhasedArrayAntenna）向地面发送放大的微波。相控阵天线是气象雷达及飞机雷达等采用的技术，将多个小型天线排列在

磁控管。这是因为其构造简单，可以输出高效率微波。而且，宇宙天线可利用放大器将发生器产生的微波传送至天线。放大器考虑使用可高频运行的GaAs类元件、GaN类元件及SiC类元件等。 宇宙

太阳能电池最常用的硅材料无法将波长大于红外线（波长大于1.1m的光线）的光转换为电能。可有效转换为电能的波长因材料及晶体结构不同而异，因此业界通过采用硅以外的材料（比如砷化镓：GaAs等），将其他波长的光

可以使光子不会在电池片内丢失-对于提高太阳能电池产生的电压有自然效果。Yablonovitch共同创办的阿尔塔设备，使用了新概念，创建出一个用砷化镓（GaAs）一种经常使用于卫星的电池片材料，原

。这增强了红外线的转换效率。这些材料出色的地方在于，他们能够与一系列的半导体材料和基材进行晶格匹配，包括如今多结太阳能电池最常见的衬底砷化镓（GaAs）和Ge。鉴于稀氮化物可以与砷化镓或锗进行晶格匹配

合型太阳能电池单元转换效率中为全球最高水平。夏普意在利用此次的成果，开发地面设置型聚光系统。转换效率实现43.5％的单元，采用了在InGaP顶层单元上组合GaAs中层单元和InGaAs底层单元的构造
（JSC）为41.6mA/cm2、开路电压（VOC）为696mV、形状因子（FF）为80.4％。　　5、逆向思维让光逃逸，美大学与Alta Devices的薄膜GaAs太阳能电池实现28.3％转换效率美国