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台湾21家太阳能厂商签约投资南星计划来源: 发布时间:2011-11-11 11:05:59

台湾消息,在副总统萧万长见证下,禧通科技等21家太阳能厂商9日与高雄港务局签约,预定明年起,在南星计划区占地26.97公顷的绿能产业专区内,至少投资200亿元,打造砷化镓(GaAs)太阳能聚落

台21家太阳能厂商将投资南星来源: 发布时间:2011-11-11 10:47:52

索比光伏网讯:台湾消息,在副总统萧万长见证下,禧通科技等21家太阳能厂商9日与高雄港务局签约,预定明年起,在南星计划区占地26.97公顷的绿能产业专区内,至少投资200亿元,打造砷化镓(GaAs

21家太阳能厂商 投资南星计划来源: 发布时间:2011-11-10 23:59:59

GaAs)太阳能聚落,年产值约600亿元。   这是继阳明海运与中油等石化厂商投资南星计划和洲际货柜中心后,高雄港区民间企业最大的投资案。   高雄港务局昨日举行「高雄港洲际货柜中心开发、营运

第四代薄膜太阳能电池研制成功来源: 发布时间:2011-10-26 15:56:32

在接受采访时介绍,纳米粒子不是(称为量子点的)GaAs等半导体粒子,而是金属粒子,还可将其表面等离子体共振(SPR)效果用于电子释放。最近,利用SPR的太阳能电池的相关论文急剧增多。不过,大多数技术将

夏普:新技术 晶硅电池效率5年内达25%来源:Solarbe.com 发布时间:2011-10-25 10:18:56

的均匀性、入射光控制、界面及背面电极等,这一目标有望实现。 ——领先一步的化合物多接合型太阳能电池,通过提高效率有可能降低成本吗?   在GaAs类多接合型太阳能电池方面,我们的目标是以4接合在非聚光

核能所开发第一片8寸磊晶片III-V族太阳能电池 转换效率38% 来源: DIGITIMES 发布时间:2011-09-19 09:11:36

建立有机金属化学气相沉积系统(Metal-organic chemical vapor deposition;MOCVD) ,并自行开发III-V族多接面(InGaP/GaAs/Ge)太阳能电池的磊晶

台湾开发出第一片8寸磊晶片III-V族太阳能电池来源: 发布时间:2011-09-15 12:10:26

建立有机金属化学气相沉积系统(metal-organicchemicalvapordeposition;MOCVD),并自行开发III-V族多接面(InGaP/GaAs/Ge)太阳能电池的磊晶及制程技术。目前

核能所开发第一片8寸磊晶片III-V族太阳能电池产业未来可期来源: 发布时间:2011-09-14 23:59:59

建立有机金属化学气相沉积系统(metal-organic chemical vapor deposition;MOCVD) ,并自行开发III-V族多接面(InGaP/GaAs/Ge)太阳能电池的磊晶及制程

OFweek视界:光伏市场每日(9.1)焦点汇总来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2011-09-01 16:06:59

研究员在接受记者采访时认为,这种状况主要是由四个方面的原因造成的。一是成本较高。目前生产的高聚光太阳能电池主要是GaAs电池,其电池芯片的生产成本较高。另外,此种电池的外围封装、透镜和二次光学装置也需要

聚光光伏发电产业的四大制约因素来源: 发布时间:2011-09-01 11:43:29

聚光太阳能电池主要是GaAs电池,其电池芯片的生产成本较高。另外,此种电池的外围封装、透镜和二次光学装置也需要很大的资金投入。二是可靠性问题。高聚光太阳能电池都有太阳光跟踪系统。这是一种高精度系统,对