GaAs

美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布，公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池，标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池

损失,目前的CPV 系统转换效率可达25%,高于目前市售晶硅电池17%左右的转换效率。此外,GaAs 系电池的高温衰减性能强于硅系电池,更适合应用于日照强烈的荒漠地区。 CPV 系统的生产过程

CPV 系统转换效率可达25%,高于目前市售晶硅电池17%左右的转换效率。此外,GaAs 系电池的高温衰减性能强于硅系电池,更适合应用于日照强烈的荒漠地区。 　　CPV 系统的生产过程更加节能环保

such as copper indium gallium selenide (CIGS), cadmium telluride (CdTe),and gallium arsenide (GaAs
/GaAs/Ge, photovoltaic inks, P3HT:PCBM, triple junction III-V cells, quantum dot solar cells

二者最主要的区别，CPV太阳能阵列系统的核心是采用化合物半导体电池。这些电池在锗衬底上单片集成了GaInP和GaAs薄层，每层吸收光谱中的不同部分。三结电池轻而易举地保持太阳能转换效率的最高纪录40
展示其GaAs电池的研发成果，而是他们的CPV系统。借用Emcore之前作为化合物半导体外延生长设备供应商的经验，CPV商业部的副总裁Earl Fuller提升了他的系统。Fuller谈到了包括参与到

：Si、Ⅱ-Ⅵ族化合物CdX（X=S、Se、Te）、Ⅲ-Ⅴ族化合物（GaAs、InP）、二硫族层状化合物（MoS2、FeS2）、三元化合物（CuInSe2、CuInS2、AgInSe2）及氧化物半导体
茂铁衍生物修饰CdSe，薄膜电极，将电极表面的微观分子设计与宏观电极过程联系起来，为修饰分子的优化提供大量信息，使半导体电极表面修饰技术有很大的提高和发展。对Ⅲ~Ⅴ族化合物半导体主要研究GaAs和

GaAs等的化合物多结型，（3）采用多种薄膜的薄膜多结型。 以硅类材料实现量子点型 　　（1）要实现量子点型，有“串联方式”和“中间能带方式”两种方法。串联方式层叠多层通过改变量子点直径控制了带隙的

不大，但看好节能法规带动下，台厂可望切入AC/DC供应链，提高产值规模。 另外，由于砷化镓(GaAs)是半导体材料的一种，具有高频、抗辐射、耐高温等特性，可做为高频及无线通讯之IC元件，其中

规模不大，但看好节能法规带动下，台厂可望切入AC/DC供应链，提高产值规模。另外，由于砷化镓(GaAs)是半导体材料的一种，具有高频、抗辐射、耐高温等特性，可做为高频及无线通讯之IC元件，其中

、聚光、扩展光谱响应(紫外、红外)。 　　由于汇聚太阳光导致光斑上的温度较高，会使太阳能电池转换效率衰退，同时还会降低系统使用寿命。硅基太阳能电池随温度上升很快衰减，而耐热的GaAs(含剧毒，可能影响
设计，其次更改聚光系统、倍数和散热，以求在高倍时可以光热互补。 　　目前产业化的三结面InGaP/GaAs/Ge太阳能电池(更大光谱范围吸收太阳能)转换效率达35%-40.7%，而三安光电称其目前GaAs