GaAs

铟/砷化镓（InAs / GaAs）量子点太阳能电池效率提高50％以上。研究人员中，金佰利萨布隆（Kimberly Sablon）和约翰W里特尔（John W. Little）来自马里兰州

聚光太阳能发电系统是利用透镜或反射镜等聚光模块，将大面积的阳光汇聚到一个极小面积的多结III-V族半导体化合物（砷化镓GaAs）电池上。砷化镓电池相比晶硅电池具有抗高温、高转换效率等特征，可以在聚光

太阳能电池转换效率最新的世界纪录是多少？ 　　42.3%。这是2010年10月6日，美国Spire半导体公司宣布的最新成果。该公司研发的三结砷化镓（GaAs）太阳电池峰值效率达到了42.3

逐渐扩大，但从大规模利用太阳能而言，与常规发电相比，成本仍然大高。目前，世界上太阳电他的实验室效率最高水平为：单晶硅电池24％（4CM2），多晶硅电池18.6％（4CM2），INGAP／GAAS双结电池
不少成果。目前，我国太阳能电池的实验室效率最高水平为：单晶硅电池20.4％（2CM2CM），多晶硅电池14.5％（2CM2CM）、12％（10CM10CM），GAAS电池20.1％（LCMCM

单一材料的话，GaAs等带隙为1.4eV左右的材料占优势，但存在限制。作为采用改变带隙材料的多接合型*太阳能电池，对于太阳光的长波长侧和短波长侧分别采用不同的材料，将是今后实现高效率的基本方法之一

能实现保证透明性的“发电窗玻璃”。 　　EnSol公司此次未公开纳米粒子的成分。不过，莱斯特大学的宾斯教授在接受《日经电子》采访时介绍，“纳米粒子不是（称为量子点的）GaAs等半导体粒子，而是

0.67eV左右的Ge及GaSb等，因此“能量源”以红外线为主体。由于对可见光几乎没有反应，可安装在一些热源附近，用于将其辐射热转换为电力等用途。 　　但是，此前的大部分TPV电池通过使Ge在GaAs类

今天参加了台湾公司禧通（M-COM）在北京的新产品发布会。对于其所推广的砷化镓（GaAs）技术有个基本的了解。 砷化镓也是光伏产品的一种技术，并且是一种高效的技术。但是由于其高成本的原因，其一

美国威讯联合半导体（RF Micro Devices,RFMD）利用该公司的GaAs类化合物半导体150mm生产线，试制出了太阳能电池单元。RFMD表示这是转换效率超过40％的化合物半导体多接合型

　　美国威讯联合半导体（RF Micro Devices,RFMD）利用该公司的GaAs类化合物半导体150mm生产线，试制出了太阳能电池单元。RFMD表示这是转换效率超过40％的“化合物半导体多接