非掺杂
中来N型单晶双面TOPCon电池技术基于N型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，电池的背表面为H型栅线电极，可双面发电。
中来N型单晶
双面TOPCon电池
集成了以下核心电池技术
(1)离子注入掺杂多晶硅钝化技术;采用低压化学气相沉积法在基体硅表面依次形成隧穿氧化层和非晶硅层，通过离子注入精确控制掺杂原子的剂量和在多晶硅中的分布
680mv，较非SE电池效率提升0.4%。 摩尔光伏实验数据显示，通过优化激光掺杂选择性发射极太阳电池制备工艺，采用SE技术后，既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命
单面电池和常规多晶电池的价差还只有0.1元;到11月底，这一价差已经拉开到0.34元之多。目前单晶硅片每片3.05元、多晶硅片每片2.05元;假设常规单晶电池的非硅成本是每瓦0.28元
常规
多晶电池的单片瓦数更低，非硅成本更高一些，假设为0.30元;单晶Perc电池由于新增了背钝化、激光开槽等设备，在常规电池的基础上，每瓦会增加0.05元左右的非硅成本，即0.33元;单面Perc改为双面
，在长晶过程中，结晶界面上的温度在理论结晶温度附近波动幅值达到3K，导致结最界面形状与稳态条件下的情况存在明显差別。
非掺杂异质结全背太阳电池的研究
完成人：上海交通大学 林豪、吴飞、沈文忠
等高功函空穴传输层，及TiOx、LiF、MgOx、低功函金属等电子传输层，与晶硅基底通过界面能带匹配构建的异质结电池结构，具有低温制备、非掺杂、结构简单、接触钝化等潜在优势，受到广泛的重视。本报告将详细
高效多晶硅PERC电池的工艺流程;同时还给出了非PERC电池的工艺流程用于对比。在完成CSI具有知识产权的最先进 黑硅制绒( 金属催化化学刻蚀-MCCE)步骤之后，将电池放到管式炉中进行低压
如电阻率或掺杂浓度、氧含量 和结构缺陷密度等。衰减速率还与施主B元素或Ga元素或者B与Ga化合物有关;Ga掺杂或部分Ga掺杂所带来的收益是被普遍认可的。图三展示了 由电致衰减(CID)测得的经过
》。 传统的硅基太阳能电池由于制备流程复杂、硬件设备投资高，使得电池成本高，限制了大规模的应用。用新型电荷选择性材料与晶硅基片形成非掺杂的异质结太阳能电池，可避免掺杂所需要的高温工艺，但这类材料本身
原理相似，但不同之处在于激发非平衡载流子的方式不同，即在电池的正向偏压下，注入非平衡载流子(Fig.2-2)。
Fig.2-2电致发光
2.3微波光电导衰减法(u-PCD)
u-PCD主要
源包括：a、晶体表面的机械损伤和微裂纹;b、杂质或O-Si的原子集团，旋涡带;c、掺杂剂的局部聚集等。一般而言，热应力在硅片的边缘比较大，因此边缘的滑移位错比较明显，然后向中心蔓延，严重时可以出现星形
等方法提升其电化学性能。
非原位氮掺杂Ti3C2柔性电极的储能原理、电化学性能及其器件性能图
近日，西安交通大学阙文修教授课题组通过简单可控的非原位溶剂热方法成功合成了一种柔性、自支撑
、致密的氮掺杂Ti3C2膜电极材料，并组装成对称超级电容器。相比原位掺杂氮元素，非原位溶剂热法不仅能获得超高的体积容量，而且对氮掺杂Ti3C2膜的成膜性几乎没影响。同时，柔性电极的高密度和优异质量容量使其
提升发电效率的不同手段：在硅料、长晶切片环节主要通过物理方式提升材料纯度;电池片环节则通过各种镀膜、掺杂工艺提升效率;组件环节则通过各种不同的封装工艺在既有的电池片效率前提下，尽量提升组件的输出功率或增加组件全
成本占组件非硅成本的21%，而组件非硅成本占总成本33%，因此铝框大约占总成本的7%。初步估算，无框设计使双玻组件的非硅成本下降约$0.05/W。但无铝框组件易损毁。
降本：适配1500V系统，降低
。 高效率 HIT电池独特的非掺杂(本征)氢化非晶硅薄层异质结结构，改善了对硅片表面的钝化效果，大降低了表面复合损失，提高了电池效率。据报道，Panasonic研发出的HIT电池实验室效率已达到25.6
