非掺杂
出介绍说明：优势明显，实现技术领跑目前市场上大部分的晶体硅太阳能电池是由硼掺杂P型硅制成，然而P型硅太阳电池在光照下会出现大的功率初始衰减。N型产品的技术是由磷掺杂N型硅材料，其光致衰减可忽略。此外N型硅
Sunpower公司研发了交指式背接触(IBC结构)N型硅太阳电池、日本三洋公司研发的HIT结构非晶Si/N型硅异质结电池、德国弗朗霍夫太阳能研究所研发的PERL结构N型硅太阳电池和英利研发的双面发电前
，实现技术领跑
目前市场上大部分的晶体硅太阳能电池是由硼掺杂P型硅制成，然而P型硅太阳电池在光照下会出现大的功率初始衰减。N型产品的技术是由磷掺杂N型硅材料，其光致衰减可忽略。此外N型硅对某些金属
Sunpower公司研发了交指式背接触(IBC结构)N型硅太阳电池、日本三洋公司研发的HIT结构非晶Si/N型硅异质结电池、德国弗朗霍夫太阳能研究所研发的PERL结构N型硅太阳电池和英利研发的双面发电前表面硼发射极
前途任何技术有优点，也有它的缺点，目前perc电池遇到主要的问题是初始衰减的问题，因为初始衰减是P型电池故有的问题。P型电池是硼掺杂，硅里面不可避免有氧，这样就会衰减。但是perc电池衰减更多一些
单晶硅厂上了这是设备，氧含量可以降到10个PPM左右，这是提高材料纯度，降低含氧量。第二，掺杂剂，硼是主要原因，可以硼镓共掺，是目前一个比较好的办法。另外，电池后处理，比如光退火或者热退火都能部分的
18公斤。
英利集团宋登元：N-perc电池大有前途
任何技术有优点，也有它的缺点，目前perc电池遇到主要的问题是初始衰减的问题，因为初始衰减是P型电池故有的问题。P型电池是硼掺杂，硅里面
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第一，从晶体生长方面生长质量比较高的，比如加磁场辅助晶体生长，现在国家好多单晶硅厂上了这是设备，氧含量可以降到10个PPM左右，这是提高材料纯度，降低含氧量。第二，掺杂剂，硼是主要原因，可以硼镓共掺
初始衰减是P型电池故有的问题。P型电池是硼掺杂，硅里面不可避免有氧，这样就会衰减。但是perc电池衰减更多一些。perc电池衰减，大家集中力量去解决，提出的原理也五花八门都有。但是不管怎么样，它是可以
。第二，掺杂剂，硼是主要原因，可以硼镓共掺，是目前一个比较好的办法。另外，电池后处理，比如光退火或者热退火都能部分的解决衰减的问题，但是根上不敢说一定完全能解决。这条路走起来有一个效率极限，怎么办?我们
基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P-N结。
当光线照射太阳能电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在
使用者负载的需要。
此外，如果电力线受到破坏或被迫关闭，逆变器就要停止向用电设备或电网供电。如果电力线电压偏低或欠压，或出现较大的扰动时，要采用一种用于非孤岛逆变器的传感器来传感这种情况。当出现这种
仅为1.6-1.8。
这些老组件都均采用了基于杜邦 TedlarPVF 薄膜的背板。而当记者用手摸一块仅仅使用了7年的劣质非氟背板时，发现整个组件背板都已经呈粉状。掐指一算，从2009年敦煌
PV17x系列浆料，引起业界轰动。其中PV17A是业内第一款适用于低表面浓度掺杂即LDE扩散工艺的正银浆料，配合全新的扩散思路，带动整个光伏行业转换效率迈上了新的台阶，Solamet PV17x也被誉为神
所示：
(1)光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。
(2)(2)电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻
，利用腐蚀液对各个晶面腐蚀速率的不同，形成非均匀腐蚀，在硅表面形成类似金字塔形状的绒面，如图2A。制得绒面的反射率可达到10%左右。依靠表面金字塔形的绒面结构，对光进行多次反射，不仅减少了反射损失
所示：
(1)光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。
(2)电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻，以及
对各个晶面腐蚀速率的不同，形成非均匀腐蚀，在硅表面形成类似金字塔形状的绒面，如图2A。制得绒面的反射率可达到10%左右。依靠表面金字塔形的绒面结构，对光进行多次反射，不仅减少了反射损失，而且改变了光在
来自两个方面，如图1所示：（1）光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。（2）电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻，以及
的不同，形成非均匀腐蚀，在硅表面形成类似金字塔形状的绒面，如图2A。制得绒面的反射率可达到10%左右。依靠表面金字塔形的绒面结构，对光进行多次反射，不仅减少了反射损失，而且改变了光在硅中的前进方向
