非掺杂

哈梅林太阳能研究所（ISFH）和汉诺威莱布尼兹大学的电子材料及器件研究所（MBE）已经成功完成CHIP项目。该项目以工业离子注入n型PERT（钝化发射极和背面电池，后共掺杂）太阳能电池来提升电池的
转化效率。在CHIP项目中，植入损伤退火的驱动机制已经通过科学检查，其中特别关注非晶硼和非晶化BFX植入物。由于光伏注入机一般不配备大规模分离器，因此，主要是植入BF2，而不是基本的硼。退火过程处理

p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非
，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术（RIE）是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK（掩膜）再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒

网印银浆没有烧穿(Fire-through)这一功能，因此在当时的生产线上，需要先进行网印，而后沉积当时的TiO2减反射层。另一个区别在于当时的银浆与硅形成有效欧姆接触的能力较差，只有与高掺杂的硅才
钝化也非新鲜话题，UNSW早在90年代就提出了发射极和背面钝化(PERC)结构以及发射极和背面钝化局部扩散(PERL)结构，在早期设计中，这两种结构都在背面采用氧化硅层钝化，局部开孔实现点接触以减少非

烧结后的PL测试图像。在印刷烧结工序后，同心圆又再一次消失了，这是因为Al形成重掺杂，Si-Al合金层烧结后产生的晶格应力对杂质起到有效的吸附作用，从而减少了硅片体内的载流子复合中心，使非平衡少子寿命提高。

新技术，提供研发支持的，应当是政府。但汉能却以企业的资金支撑这个业内公认前景不明朗的技术，这当然需要鼓励，但却绝对不能作为自己集团的主营业务的发展方向。作为一个非业内人士，李河君对于薄膜的逆袭式鼓吹，使
自己进行金融创新，才能找到适合自己的最佳模式。这需要我国光伏产业的努力，也需要资本市场的支持和努力。李河君所选择的汉能薄膜光伏这样一条路，从某种角度上，也是一种创新的尝试，只是由于其中掺杂了一些不应该

，道理和缺陷相同。暗电流一般在分选硅片时要考虑，如果暗电流过大能说明硅片的质量不合格，如表面态比较多，晶格的缺陷多，有存在有害的杂质，或者掺杂浓度太高，这样的硅片制造出来的电池片往往少子寿命低，直接导致
注入，电注入激发出非平衡载流子，电压越大激发的非平衡载流子越多，形成的暗电流越大，暗电流的增长速度随电压越大而变慢，直到片子被击穿。一般我们测试暗电流的标准电压为12V，测得的曲线和标准的曲线相比后

。掺杂后的其他一些原子可能会打破硅晶格内电子和空穴原有的平衡,杂质原子与硅形成共价键后还空余一个电子时为N 型半导体材料。杂质原子与硅形成共价键后稍一个电子时为 P型。如图1.4所示.图1-4单晶硅掺杂后
成为N型和P型示意图在一块完整的硅晶体片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体。那么在两种半导体的交界面附近就形成了P-N结。1.3.1、P-N结内部载流子P-N结内部有两种

能够平价上网，与传统能源直接竞争，乃至替代传统能源。而这些努力，包括目前占主流的晶硅厂商在提升电池转化效率、减少使用硅料成本、以及降低非硅加工成本等等，但2008年前后全球多晶硅市场的过山车行情，使得
。CIGS膜厚度1～2m时就可以将太阳光全部吸收，大大降低了材料的成本，而多晶硅膜太阳电池其膜厚通常在20～30m。另外，CIGS薄膜可用钠钙玻璃作衬底，不仅成本低、膨胀系数相近、还因微量的Na掺杂而提

及食品饮料等行业的先进制造企业提供高纯工艺系统的整体解决方案，以生产工艺中的不纯物控制为核心，主要应用于电子行业的掺杂、光刻、刻蚀和CVD（MOCVDPECVD）成膜等工艺环节和生物医药及食品饮料行业
万元，其中56.44%的账龄在1年以上，非光伏类客户的应收账款余额为5,202.26万元,其中21.57%的账龄在1年以上。应收账款净额也一路看涨，2011年为7341.51万元，2012年涨到约