-空穴对的复合、硅表面的光反射等都会影响电池的转换效率。总体来说，可将影响晶体硅太阳电池转换效率的因素总结为两大类：光学损失和电学损失。（1）光学损失，包括材料的非吸收损失（即硅材料的光谱响应特性
。如在P型材料的电池中，背面增加一层P+浓掺杂层，形成P+/P的结构，在P+/P的界面就产生了一个由P区指向P+的内建电场，不但可建立一个与光生电压极性相同的内建电场，提高电池的开路电压，还能增加光生

晶体硅太阳能电池技术转换率

高效晶硅光伏电池技术究竟是什么？来源：发布时间：2015-12-10 00:03:59

的光反射等都会影响电池的转换效率。总体来说，可将影响晶体硅太阳电池转换效率的因素总结为两大类：光学损失和电学损失。（1）光学损失，包括材料的非吸收损失（即硅材料的光谱响应特性）、硅表面的光反射损失以及前
，而原子氢可以中和悬挂键，所以减弱了复合。4、增加背场。可通过蒸铝烧结、浓硼或浓磷扩散的工艺在晶体硅电池上制作背场。如在P型材料的电池中，背面增加一层P+浓掺杂层，形成P+/P的结构，在P+/P的界面就

晶硅电池光伏电池电池技术

解析：什么是高效晶硅光伏电池技术？来源：光伏新闻发布时间：2015-12-09 23:59:59

复合、硅表面的光反射等都会影响电池的转换效率。总体来说，可将影响晶体硅太阳电池转换效率的因素总结为两大类：光学损失和电学损失。（1）光学损失，包括材料的非吸收损失（即硅材料的光谱响应特性）、硅表面
，而原子氢可以中和悬挂键，所以减弱了复合。　　4、增加背场。可通过蒸铝烧结、浓硼或浓磷扩散的工艺在晶体硅电池上制作背场。如在P型材料的电池中，背面增加一层P+浓掺杂层，形成P+/P的结构，在P+/P的

光伏要闻

顶级科研院所齐聚CSPV大会：单晶综合成本低于多晶来源：索比光伏网发布时间：2015-11-27 10:17:58

企业技术领袖惊艳亮相，超过600名专家学者行业人士齐聚一堂，会场座无虚席。 3年内单晶硅片与多晶硅片非硅成本一致在上午的大会主题论坛中，详细讲解隆基股份大容量快速拉晶和金刚线切片工艺
、乐叶光伏PERC单晶电池产业化进程及未来2-3年结合MWT、N型工艺进一步提升组件功率的技术实现路径，未来3年内单晶硅片与多晶硅片的非硅成本将趋于一致，结合单晶显著的转换效率优势，将大幅度提高

单晶硅多晶硅光伏发电

【视点】600名专家齐聚CSPV大会：单晶综合成本低于多晶来源：发布时间：2015-11-27 10:11:59

企业技术领袖惊艳亮相，超过600名专家学者行业人士齐聚一堂，会场座无虚席。3年内单晶硅片与多晶硅片非硅成本一致在上午的大会主题论坛中，详细讲解隆基股份大容量快速拉晶和金刚线切片工艺、乐叶光伏PERC单晶电池
产业化进程及未来2-3年结合MWT、N型工艺进一步提升组件功率的技术实现路径，未来3年内单晶硅片与多晶硅片的非硅成本将趋于一致，结合单晶显著的转换效率优势，将大幅度提高单晶市场份额。　　隆基股份

多晶单晶光伏发电

【技术】N型黑硅光伏电池知多少？来源：发布时间：2015-11-12 00:08:59

，背面通过PassDop工艺进行钝化。PassDop工艺包括PECVD沉积磷掺杂非晶SiCx：H层，在钝化层表面激光开槽形成接触点。激光开槽后，在接触点位置磷扩散形成局部背表面场。在硅片背面烝镀铝形成背面
黑硅在很宽的波长范围内具有反射率低、接受角广的优点，在太阳能电池领域倍受关注。本文将黑硅制绒工艺应用到N型硅基体上制备成的太阳电池效率高达18.7%。在N型黑硅表面可以制作高浓度硼掺杂的发射极且不

光伏电池黑硅电池光伏技术

INDEOtec向美国研究团体提供Octopus PECVD 工具来源：pv-magazine 发布时间：2015-10-27 23:59:59

系统。Octopus II系统可用于HJT电池生产，它有能力在单或多晶硅电池上沉积一层内在掺杂的非晶硅层。INDEOtec 称使用这种工具，已经能够实现超22%的电池效率。Octopus II系统的
优点之一，是它可使薄膜的上部和底部两面都能沉积，无需将电池翻转也不破坏真空。INDEOtec表示Octopus系统减少了不必要的非增值处理步骤，使之适合大批量生产的需要。INDEOtec公司的大部分员工来自现已解散的a-Si设备供应商Oerlikon Solar。

PECVD 光伏要闻

绒面结构对黑硅太阳能电池电性能的影响来源：世纪新能源网发布时间：2015-10-22 23:59:59

。Terres等人使用飞秒激光器成功制备出黑硅并验证了其转换效率比非制绒硅电池效率高。局部金属催化湿化学腐蚀的方法也可以制作黑硅，电池效率能达到12-14%。反应离子刻蚀（RIE）技术被广泛应用于制备黑硅
多晶硅片是156mm*156mm，P型掺杂，厚度为20020m，电阻率1-3。首先在80℃下，浓度为10%的NaOH溶液中去除硅片表面机械损伤。随后采用不同条件（如表1）的PIII方法制绒。然后所有的硅片

光伏要闻

详解钝化接触太阳能光伏电池来源：中国光伏协会发布时间：2015-10-19 09:40:28

背面采用氧化硅层钝化，局部开孔实现点接触以减少非钝化区域的面积。两者的区别在于是否在开口区域进行局部掺杂扩散，局部扩散增加工艺难度，但会形成局部背电场，减少接触部分的复合速率。但高品质氧化硅的生长需要
，只有与高掺杂的硅才可以接触良好。由于TiO2没有很好的钝化功能，人们在当时并没有过多的考虑钝化。而且由于减反射层在金属电极之上，因此沉积的时候需要用模版遮挡主栅，以便后续的串焊。虽然这一时期，在

太阳能电池光伏组件产业

【综述】太阳能电池介绍来源：价值中国发布时间：2015-09-09 12:01:16

照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非
气体，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射

太阳能电池光伏组件发展历史

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