11月26日，第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会（CSPV）在浙江杭州举行，来自浙大、西安交大、上海交大、新南威尔士大学、中科院、甘肃自然能源研究所等业内顶尖科研院所的专家和国内一线光伏制造企业技术领袖惊艳亮相，超过600名专家学者行业人士齐聚一堂，会场座无虚席。
在上午的大会主题论坛中，详细讲解隆基股份大容量快速拉晶和金刚线切片工艺、乐叶光伏PERC单晶电池产业化进程及未来2-3年结合MWT、N型工艺进一步提升组件功率的技术实现路径，未来3年内单晶硅片与多晶硅片的非硅成本将趋于一致，结合单晶显著的转换效率优势，将大幅度提高单晶市场份额。
隆基股份系统集成总监邓良平介绍《高效单晶技术成本路线图及主要实现措施》
光衰减现象可以通过多种方式有效控制
只有当硼和氧杂质同时存在时才会发生光衰减现象，通过降低氧含量、降低硼浓度、用掺镓取代掺硼、使用N型硅晶体、高温热处理、使用同族掺杂硅晶体都可以实现光衰减抑制。余教授特别指出，浙大研究成果表明，第三态的生成能有效控制直拉单晶太阳电池的光衰减效应。
浙江大学硅材料国家重点实验室余学功教授发表演讲《掺硼直拉单晶硅太阳电池的光衰减问题研究》
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