表面钝化
选择晶硅/氧化铟锡(a-Si/ITO)异质结技术，或选择带ITO覆盖层的多晶硅钝化接触作为光学元件。 目前，钙钛矿沉积工艺还不适用于制绒表面，因此底电池的正面需要进行抛光。不过，只要背面是制绒表面
晶硅PERC(钝化发射极及背接触)电池是目前最先进的太阳能电池技术之一，其量产转换效率已达到22%，并且相较薄膜电池或传统铝背场(BSF)电池， PERC电池的度电成本优势显著。
当前的问题是
。不过，这种电池技术的成本比晶硅电池高出了一个数量级。用外延法生长在锗或砷化镓晶片表面，再进行剥离和转移，似乎是最可行的做法，不过这在技术和经济性方面是否可行，尚有待证明。图7所示为上述结构的截面
共同形成了钝化接触结构。该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流
目前量产工艺兼容，便于产线升级。同时掺杂多晶硅层良好的钝化特性以及背面金属全接触结构具有进一步提升转换效率的空间，现已成为下一代产业化N型高效电池的切入点
（责任编辑：小泽）
亲和力很好，能与很多技术工艺可以相结合，但是双面+PERC无疑是性价比最高的配置方案。
单面PERC电池的工艺，是仅在常规单晶电池工艺的基础上增加了背面叠层钝化膜和背面激光开空两道工艺。如果将单面
扩产高峰。
有关专家认为，PERC双面电池技术未来依然有进步空间，比如采用细栅金属化技术，减少正面遮挡，如应用5BB或MBB技术；正面采用选择性发射极，降低表面复合损失；利用先进的陷光技术，如采用多层
中来N型单晶双面TOPCon电池技术基于N型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，电池的背表面为H型栅线电极，可双面发电。 中来N型单晶
680mv，较非SE电池效率提升0.4%。
摩尔光伏实验数据显示，通过优化激光掺杂选择性发射极太阳电池制备工艺，采用SE技术后，既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命
，能实现电池片量产效率稳定提升0.25%以上，到组件环节可以使现有的60片组件提升功率5W。由于SE是针对于电池正面射极的改良，与PERC的背面钝化技术具有互相加成的效果，因此将SE应用在PERC高效率
)电池即选择性发射极电池，电极接触区重掺(低方阻)具有好的欧姆接触，非电极区浅掺(高方阻)具有好的光谱响应。SE电池优势：降低串联电阻，提高填充因子;减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果;改善
单晶硅片，结合在选择性发射极(SE)、氧化硅钝化层、背钝化等全方位的工艺优化，达到23.95%的高转化效率。晶科能源特有的黑硅陷光技术和多层减反ARC技术，使电池片正面反射率达到了0.5%以下，最大
晶科保持的23.45%。而不仅在单晶领域，晶科在今年10月也打破了P型多晶太阳能电池转换效率世界纪录(22.04%)。该电池采用了高质量工业级硼掺杂多晶硅片，将陷光、钝化技术及抗光衰等先进技术统一集成在
电池技术和Q.ANTUM技术，实现了发电技术的显著提升。
Q.PEAK DUO技术使用焊线取代了常用的扁平焊带，通过减少电池表面被遮蔽的面积使光能损失最小化，与传统组件相比，可以增加2.5%的功率输出
半切电池甚至比十二栅线整片电池输出功率更高，半切电池的电阻损耗降低了75%，与整片电池相比，功率提升了3%。而Q.ANTUM技术是韩华新能源独有的太阳能电池技术平台。Q.ANTUM基于钝化发射极及背面
升级转换的成本效益极高，并且可以使双面因子达到70%至80%左右。
新型高效太阳能电池片(如异质结电池片)在某种程度上属于对称设计，其实可以划归为双面技术。此外，硅片表面钝化能够进一步提高转换效率
，实现渔光互补。
A2)水平安装：适用于需要架高安装的光伏系统，例如安装在农田上方或用作车棚及遮阳蓬等。这种安装方式在多风地区比较有优势。组件本身并不形成连续的表面，彼此之间留有间隙。
A3)垂直
