表面钝化

了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。

作为基底，前表面是n+的前场区FSF，背表面为叉指状排列的p+发射极Emitter和n+背场BSF。前后表面均采用SiO2/SiNx叠层膜作为钝化层。正面无金属接触，背面的正负电极接触区域也呈叉指状排列

height)和表面掺杂浓度(Nd)有关，势垒越低，掺杂浓度越高，接触电阻越小。 (2)减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果 当杂质浓度大于1017cm-3时，Auger复合是半导体中主要的

技术成了惟一的出路。如何利用新的技术去研发出更高效的产品?选择大功率?大尺寸?叠瓦?无片间距?双面和半片技术呼之欲出。 由于其具有低实施障碍、最低资本支出要求的优势，高效钝化发射极后接触(perc
)太阳能电池结合半片和双面组件技术开始出现在大众的视野。数据显示，2018年，高效钝化发射极后接触(perc)太阳能电池结合半片和双面组件技术的市场份额增长高于市场预期。 PERC 2018年市场的

选。三年之内，即到2022年初，PERC电池将仍然将是最具性价比的电池技术。 PERC电池是在常规电池制造工序中加入一道表面钝化工序，以提高转换效率，在各种高效太阳能电池技术流派中，PERC技术改造

。 据悉，该电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58

。 此次破纪录的太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到

硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。该结果已获德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)下属的

电池效率新的世界纪录。 此次破纪录的太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面

臭氧照射15min，得到处理干净的ITO玻璃.然后在真空度小于1.3310-7 Pa的真空条件下热蒸发沉积CuPc材料，从而在ITO表面形成空穴传输层，CuPc膜层的厚度和沉积速率由膜厚仪实时监测.为了
提高钙钛矿在CuPc表面的覆盖率，须要在CuPc表面叠加一层表面修饰层 PEI. 将获得的ITO-CuPc 样品放入氮气氛围的手套箱里，将PEI粉末以0.4% 的质量比溶解于乙二醇甲醚中得到PEI