表面钝化

电池技术) 该技术与常规电池最大的区别在于背表面介质膜钝化，采用局域金PERC电池属接触， 有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光钝化发射反射。在市场方面，2018 年底，全球

电池技术) 该技术与常规电池最大的区别在于背表面介质膜钝化，采用局域金PERC电池属接触， 有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光(钝化发射反射。在市场方面，2018 年底，全球PERC

BLK-G6+。Q. PEAK DUO BLK-G6+组件采用全黑表面，外形美观，产品保质期高达25年，它是广受欢迎且屡屡获奖的Q.PEAK DUO 太阳能组件系列的最新一代产品。 拓宽产品组合，从而扩大
率最低的产品之一，在第25年仍能保证初始性能的85%。此外，该组件通过Q CELLS的专利保护钝化技术制造，这是该公司Q.ANTUM 技术的关键组成部分。 Q.ANTUM技术额外附加的尖端技术和

(PassivatedEmitterandRearCell)电池，全称为发射极和背面钝化电池，是从常规铝背场电池(BSF)结构自然衍生而来。常规BSF电池由于背表面的金属铝膜层中的复合速度无法降至200cm/s以下，致使到达铝背层的红外辐射光只有

被吸收，并且可能永远不会到达发射层，这只会导致组件发热。 PERC电池与常规电池最大的区别在背表面介质膜钝化，采用局域金属接触，大大降低被表面复合速度，同时提升了背表面的光反射。PERC技术通过提高

电子，但如何让单线态激子裂变产生的两个电子转移到硅材料中是一个关键难题。 为了保证电池效率和耐久性，硅材料必须有表面钝化层。并四苯中产生的电子必须穿过钝化层，才能到达硅材料。相对于电子转移能力来说

。未来，随着新型增加转换效率技术的成熟，单晶转换效率将持续提升。 多晶则依靠黑硅提升转换效率。多晶金刚线硅片采用常规酸制绒无法实现良好的表面结构，甚至无法形成绒面，这导致金刚线硅片的反射率大幅提升，从而
对电池效率产生负面影响。黑硅技术可以完美解决多晶制绒问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，对多晶未来的发展前景至关重要。目前投入运营的黑硅技术包括制绒添加剂技术、表面预处理技术、湿法黑硅技术和干法

。 第一种工艺-LSC-依赖于激光烧蚀技术，沿着半切片电池边缘形成全长度划槽。在某些情况下，划片没有完全使电池分离，但会在表面留下深度约等于电池厚度一半的划槽。随后电池会沿着激光划槽方向机械性断裂。由于激光
工艺会导致材料出现结构损伤，划槽操作通常会从电池背面进行，以避免p-n结出现分流通路;如果背面金属层有一道小的开口，激光工艺可以采用更为高效的方式进行。对于采用完整背面金属化的钝化发射极和背电极

，三重态激子不能通过辐射的方式返回基本状态。该限制延长了它们的寿命，但是抑制了共同的能量转移机制，否则该能量转移就能够通过例如厚的钝化层(保护太阳能电池表面免受污染的惰性材料)进行激发的长程转移
使产生的电流得到加倍。 然而，这种机制只具有短程特点，并且只有通过超薄屏障时才能有效地发生。这种屏障通常不足以钝化诸如硅的半导体表面，导致功率损失，使单线态裂变的有益效果无法体现出来。虽然具备光学