表面等离子

索比光伏网讯:(1) 光陷阱结构。一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术，制得绒面的反射率可达到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术(RIE)，该技术的优点是和晶硅的晶向无关
制得绒面反射率低于在2%~20%范围。(2) 减反射膜。它的基本原理是位于介质和电池表面具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉从而完全抵消。单晶硅电池一般可以采用TiO2

高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池
。提高转化效率主要是*单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm

加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是*单晶硅
表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减

索比光伏网讯:浙江中科院应用技术研究院嘉兴微电子设备与仪器工程中心夏洋带领的微电子仪器与设备创新团队，在晶硅太阳能电池表面钝化技术的研究中取得新进展。该创新团队利用自主设计生产的KMT-200A型
原子层沉积设备，在p型单晶硅片上生长氧化铝钝化层，退火后平均少子寿命可达1ms，有效减少了硅片表面复合，具有优秀的表面钝化效果。目前，微电子仪器与设备创新团队以技术优势，吸引美国硅谷研究团队来嘉兴开展

索比光伏网讯:浙江中科院应用技术研究院嘉兴微电子设备与仪器工程中心夏洋带领的微电子仪器与设备创新团队，在晶硅太阳能电池表面钝化技术的研究中取得新进展。该创新团队利用自主设计生产的KMT-200A型
原子层沉积设备，在p型单晶硅片上生长氧化铝钝化层，退火后平均少子寿命可达1ms，有效减少了硅片表面复合，具有优秀的表面钝化效果。目前，微电子仪器与设备创新团队以技术优势，吸引美国硅谷研究团队来嘉兴开展

，提高切割速度，降低线损和硅片厚度。在电池表面等离子制绒，延长入射光光程，并通过内表面反射减少反射损失，提高转换效率。仅靠工艺水平的改进对电池效率的提升空间已经越来越有限，电池效率的进一步提升将依赖新

Natcore的黑硅和液相沉积(LPD)工艺是否能够帮助匿名公司的太阳能产品降低成本并提高性能。Natcore指出，这5家公司以使用等离子增强化学气相沉积(PECVD)来在其产品上沉淀薄膜著称。该公司
将使用在纽约Rochester研发中心的AR-Box来完成测试。来自北美的两家公司为Natcore提供了硅片样本来进行测试。一些硅片将和黑硅一起处理，一部分将使用Natcore的LPD表面钝化技术处

是否能够帮助匿名公司的太阳能产品降低成本并提高性能。Natcore指出，这5家公司以使用等离子增强化学气相沉积(PECVD)来在其产品上沉淀薄膜著称。该公司将使用在纽约Rochester研发中心的
AR-Box来完成测试。来自北美的两家公司为Natcore提供了硅片样本来进行测试。一些硅片将和黑硅一起处理，一部分将使用Natcore的LPD表面钝化技术处理，其它的使用两种工艺。中国公司提供的硅片样品

23%；⑵ 抑制了高工作温度时的效率下降；⑶ 太阳电池加工比较简单，能在低于200℃的温度下进行。这种低温等离子加工技术很容易扩大规模，因而能大大降低制造成本。但是，大多数工艺研究是用等离子增强化学汽
相淀积（PECVD）进行的，由于离子轰击可能引起更多的表面缺陷。因此，结界面处较高的载流子复合几率会使短路电流密度(JSC)减少。为了避免这一点，在本研究工作中，采用了电子回旋共振化学汽相淀积

，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后
质量大大提高。3.硅片中杂质离子会影响P-N结的性能，引起P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能。4.在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。清洗的原理要了解清洗的原理，首先