表面等离子

而且表面钝化效果也有所增强。批量试制结果显示电池转换效率提高了0.3%。1引言等离子增强气相沉积(PECVD)制备氢化非晶氮化硅(SiNx：H)已经成为工业太阳电池的标准工艺中一道工序。主要存在
索比光伏网讯:采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜，理论模拟了双层氮化硅的光学参数，实际测试情况和理论模拟吻合良好。电池IV参数表明双层氮化硅不但具有更佳的减反射效果

文章（Feature Articles）。该论文首先提出了一种制备亚稳态纳米材料的普适性方法无接触相变方法。使用廉价的微米级颗粒作为原料，采用等离子体、火焰等高温束流加热并完全蒸发微米颗粒，蒸气在无接触
）、深紫外到中红外极宽波段内（0.25~11 m）的高透过率等优异光学特性。论文中进而把纳米非晶球组装成薄膜涂覆在太阳能电池Si片表面，测试表明能够显著减小入射光的反射损失（可减小53%），从而

。但现在外延薄膜太阳能电池的主要缺点是它们的效率相对较低。已有两种技术表明能提高薄膜太阳能电池的效率。一是利用卤素原子等离子加工，优化上表面结构，另一种技术是在外延层/衬底界面处引入中间反射镜。优化的
和在低成本硅衬底与活性层的界面处插入多孔硅反射镜。结果表明，这些措施可将外延薄膜硅太阳能电池的效率提高至14%左右。上表面等离子绒面通过处理太阳能电池活性层的上表面，表面光散射发生变化，从而影响

。从少数载流子的寿命变化可以看出钝化的效能变化，当总流量变化时，等离子的扩散长度也在改变，其实在初期等离子激发时，对硅表面非但没有钝化作用，而存在一个损伤的过程，但是当膜增长到一定厚度时，这种损伤将

优点在于热解时温度要求较低（800℃左右），流化床法还有参与反应的硅料表面积大、生产效率高的优点，所以还原电耗低于改良西门子法；另外，硅烷流化床法是一个连续生产的过程，除定期清床之外设备可连续运行，也
金属杂质聚集的部分后，将硅锭粗粉碎并清洗，并在等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质

(800℃左右)，流化床法还有参与反应的硅料表面积大、生产效率高的优点，所以还原电耗低于改良西门子法;另外，硅烷流化床法是一个连续生产的过程，除定期清床之外设备可连续运行，也不需要换装硅芯、配置碳电极
等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质直接生成太阳能级多晶硅。(冶金法的典型工艺流程，摘自中国

占主导地位的晶硅太阳能电池生产中，激光器一直被用于切割硅片和边缘绝缘。电池边缘的掺杂是为了防止前电极和背电极的短路。在这一应用上，激光已胜过其它传统的工艺。等离子刻蚀未能满足自动化要求，破损率很高。经验证的
技术。例如，经过特殊设计的激光装量可以毫无损伤在磷硅玻璃把磷扩散到硅片的表面，从而提高晶圆和接触电极之间的导电率。在一系列的测试中表明，不同的扩散浓度最高可提升5%的光电转换效率。用数字举例：激光器

：粗糙表面上的材料生长控制技术、高速纳米晶体硅沉积技术、多步顶衬刻蚀、静态及动态等离子沉积技术。 　　参加这一项目的机构包括： 　　洛桑联邦理工学院（EPFL） 　　捷克科学院物理研究所

(例如掺杂纳米晶体氧化硅nc-SiOx，和高结晶度纳米晶体硅nc-Si材料)、顶层电池材料、纳米压印材料、以及透明导电氧化层。多节太阳能电池的制造还仰赖于合适的设计及设备。其中的难点包括：粗糙表面上的
材料生长控制技术、高速纳米晶体硅沉积技术、多步顶衬刻蚀、静态及动态等离子沉积技术。参加这一项目的机构包括：洛桑联邦理工学院(EPFL)捷克科学院物理研究所(FyziklnstavAVR,v.v.i

，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能
适合生产价廉的太阳能级多晶硅。3 冶金法物理法等离子体法据资料报导，日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂(SHARP公司)应用，现已形成800吨/年的生产能力，全量供给