薄膜制备
砷化镓、硅基薄膜、碲化镉、铜铟镓硒、钙钛矿、聚光等新型光伏电池和组件。
光伏电池原材料及辅助材料。包括单晶硅锭/硅片，光伏电池封装材料，有机聚合物电极，光伏导电玻璃(TCO玻璃等)，硅烷，专用银浆
、多线切割设备、高效电池片及组件制造设备、金属有机物化学气相沉积设备、外延层剥离设备、薄膜铜铟镓硒吸收层共蒸发镀膜设备、低成本高效原子层沉积缓冲层设备、连续卷对卷多点分布式共蒸法镀膜设备、自动化集成芯片
，这有助于薄膜晶粒的生长。
Mo 作为电池的底电极要求具有比较好的结晶度和低的表面电阻， 制备过程中要考虑的另外一个主要方面是电池的层间附着力，一般要求 Mo 层具有鱼鳞状结构，以增加
级(几种薄膜太阳能材料中较 高的)。禁带宽度在室温时是 1. 04eV，电子迁移率和空穴迁移 率分别为 3.2102(cm2/VS) 和 110 (cm2/VS)。现在真 空工艺制备的收层薄膜
、天合、林洋等。
其他技术路线： HJT生产工艺已不同于常规晶硅电池技术，需薄膜技术支持，所需设备也大不相同;p-PERT作为p-PERC的替代方案，推广范围及产能均不大;n-PERC尚处在研究中
。
低温合金法：不需要印刷主栅，但成本较高。将18根甚至更多表面涂覆有低温合金的圆形铜线铺设于聚合物薄膜上，再和聚合物薄膜一起铺设于电池片上。表面低温合金会在层压过程中融化，并将电池片与金属线互联。虽然该
环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。
1引言
氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体硅
多晶硅片，电阻率为1～3cm，厚度为(20020)m，硅片尺寸为156mm156mm。氮化硅薄膜制备设备采用德国Centrotherm公司生产的管式低频PECVD设备，利用SE400advPV型椭偏仪测试
常规背场电池(BSF)结构，具有先天局限性，随电池效率提高，局限性越发明显。应用于BSF电池背场金属铝薄膜不能降低背面复合速度，如降至200cm/s以下。达到金属铝背层红外辐射光仅60%-70%能反射
光电损失，提高电池效率。
2PERC电池EL缺陷分析
2.1局部划伤
在PERC电池制备工程中，难免存在局部划伤痕迹，对于背表面非常好的钝化膜来说，划伤痕迹使得背表面复合速率局部下降，这些划痕
本文将电阻率为0.2～4 cm 的掺镓硅片分别制备成常规铝背场电池和PERC 电池，并对电池的少子寿命、电性能参数和光致衰减进行测量，研究了电池性能的差别，为掺镓硅片投入工业化生产提供了参考
发射极，方块电阻为90～98 / □;
3) 刻蚀及去磷硅玻璃层(PSG);
4) 硅片背面沉积Al2O3 和SiNx 钝化膜：Al2O3 薄膜厚度20 nm，SiNx 薄膜厚度130 nm
近日，中国科学院大连化学物理研究所太阳能研究部薄膜硅太阳电池研究组研究员刘生忠和陕西师范大学研究员杨栋团队与美国弗吉尼亚理工大学教授Shashank Priya带领的团队合作，在平面型钙钛矿
太阳能电池方面取得新进展，相关结果发表在《自然-通讯》(Nature Communications)上。
平面型钙钛矿太阳能电池由于其结构简单和易于制备的特点而备受关注。但相比于传统介孔结构的钙钛矿电池
技术自2015年以来有很多突破，美国亚利桑那州立大学用分子束外延技术制备出碲化镉单晶薄膜器件少子寿命达到3.6微秒，这个指标比GaAs还高;开路电压高达1.12伏，比传统的0.8~0.9V有明显提高
，薄膜太阳电池研究组组长
整理人：王凯强 能见研究员
这篇文章将解答三个问题：
一是光伏产业产能到底有没有过剩?
二是光伏能不能做的更便宜?能不能满足我国电力的需求?
三是未来哪一种光伏技术有
力度进一步加大。
从市级重点项目建设规划中来看，以西安、渭南、咸阳三个地区为代表，其光伏重点项目投资分别为213.6亿、53.1亿、15亿，涉及到硅片、光伏电池组件、薄膜太阳能、光伏支架、光伏玻璃等
：
着重突破晶体硅加工设备技术、检测设备与多晶硅制备关键设备技术，开发太阳能光伏电池的生产制造新工艺和新装备;重点突破分布式光伏发电和大型光热发电成套设备生产技术和集成技术;推进光伏建筑一体化应用等等
的制备是未来高效CZTS和硅叠层太阳电池发展的关键先决条件。然而近年来，CZTS目前的最高效率停滞在9%左右，远低于33%的理论效率和高带隙CIGS电池的效率。
最近，新南威尔士大学的马丁格林教授和
。
郝晓静研究员表示：CIGS材料中的铟也被用于平板显示设备的制造，因此材料价格预计仍将居高不下。而CIGS的生产线可以通过简单改造用于生产CZTS电池。CZTS除了可以单独用作薄膜太阳能电池外，还有潜力与晶硅电池组成多结电池。
