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背表面钝化技术
高亮的平整表面相互结合，PERC工艺中背抛简单，大大降低了其背抛光成本及压力。实测显示，TS+第二代黑硅片设备产能增加一倍，制绒成本降低约30%，以接近传统制绒的成本获取黑硅高转化效率，电池效率增益将
回去。 PERC电池采用PERC技术需在常规背电场(BSF)技术基础上增加背面钝化解决方案。在具体实施中，需要沉积一层背面钝化膜，然后在这层膜上开槽实现背面接触。通过在电池背部附上介质钝化层，可减少
太阳电池用铝浆印刷技术形成的铝背场，背面电极也采用与正面电极相同的栅线结构，使电池前后表面都能吸收光线，实现双面发电。 同时，组件背板采用2.5mm厚的透明玻璃使背面光线能进入电池片。单晶n型双面
%，面积仅0.25%。1991年日本三洋公司首次将本征非晶硅引入异质结电池结构，实现了优良的界面钝化，制备出效率为18.1%的电池，并将该结构的电池命名为异质结电池。异质结电池技术经过几十年的发展，电池
转换效率得到很大提升。松下公司2013年收购三洋公司后，公布的实验室效率达到24.7%，后又结合背接触技术电池效率达到25.6%。2016年最新报道，日本NEDO研发机构与日本KANEKO公司联手
，SJT等)，通常以n型晶体硅作衬底，宽带隙的非晶硅作发射极，典型结构如上图所示。该电池具有双面对称结构，n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层，正面一层P型非晶硅发射极层，背面一层n型非晶硅膜背表面场;在两侧
。
高效率
HIT电池独特的非掺杂(本征)氢化非晶硅薄层异质结结构，改善了对硅片表面的钝化效果，大降低了表面复合损失，提高了电池效率。据报道，Panasonic研发出的HIT电池实验室效率已达到25.6
制备发射极，磷扩散掺杂制备n+ 背场。由于n+ 磷背场代替常规p 型硅太阳电池用铝浆印刷技术形成的铝背场，背面电极也采用与正面电极相同的栅线结构，使电池前后表面都能吸收光线，实现双面发电。同时，组件
)/80nm SiNx(PECVD)叠层钝化，得到电池效率为18.6%，对比于铝背场电池效率高0.7%，电池背面接触区的形成采用了独特的工业用喷墨打印技术。 2.2 表面钝化膜的减反射效果 太阳能电池减反膜
底，体钝化技术，多层减反膜技术、选择性发射极技术和细栅金属化技术等。其中选择性发射极(SE)和细栅金属化技术极大降低了电池表面复合损失，有效提高了PERC电池开路电压和电池效率。同时晶科特有的多层膜
基于自身硅片技术优势，通过不断地优化电池工艺，实现接近24%的最高电池转换效率，硅片选材与电池工艺设计尤为关键。单晶PERC电池的核心是钝化，硅片体内的杂质和硅片表面缺陷会对电池性能会造成负面影响，钝化
曲线采用常规太阳电池烧结温度曲线。结果如表1所示。
WCT120少子寿命测试仪的少子寿命测试结果为硅片的有效少子寿命，硅片有效少子寿命受载流子体寿命与载流子表面寿命的双重影响，SixNy的钝化
作用主要体现在体钝化效果上，Al2O3的钝化作用主要体现在表面钝化效果上。由于Al2O3的表面钝化效果只有经过热处理过程才能体现出来，所以能够以热处理前后少子寿命增加量来衡量Al2O3薄膜的钝化效果
