引言:高效率、低成本是太阳能电池研究最重要的两个方向。对于晶体硅太阳能电池来说,随着晶体硅制造技术的提升,基体硅片的体载流子寿命不断提高,已经不再是制约电池效率提升的关键因素。而电池表面的钝化对转
。这就为太阳能电池表面钝化技术提出了挑战,为了在硅片薄化的过程中仍然保持电池的高转化效率,对晶体硅太阳电池表面钝化技术的研究是必不可少的。因此,无论是提高太阳能电池的转换效率,还是降低太阳能电池的
1.Perc技术显著提升光伏电池转换效率 PERC(PassivatedEmitterandRearCell)电池,全称为发射极和背面钝化电池,是从常规铝背场电池(BSF)结构自然衍生而来。常规
金刚石线切割技术代替传统的砂浆钢线切割技术,提高切割效率、降低材料损耗,减少环境污染。 ③ 电池片制备环节:通过各种镀膜、钝化、掺杂等工艺提升电池效率。 黑硅技术:又称为黑硅制绒工艺,为了进一步降低
晶硅PERC(钝化发射极及背接触)电池是目前最先进的太阳能电池技术之一,其量产转换效率已达到22%,并且相较薄膜电池或传统铝背场(BSF)电池, PERC电池的度电成本优势显著。 当前的问题是
晶硅PERC(钝化发射极及背接触)电池是目前最先进的太阳能电池技术之一,其量产转换效率已达到22%,并且相较薄膜电池或传统铝背场(BSF)电池, PERC电池的度电成本优势显著。 当前的问题是
亲和力很好,能与很多技术工艺可以相结合,但是双面+PERC无疑是性价比最高的配置方案。
单面PERC电池的工艺,是仅在常规单晶电池工艺的基础上增加了背面叠层钝化膜和背面激光开空两道工艺。如果将单面
扩产高峰。
有关专家认为,PERC双面电池技术未来依然有进步空间,比如采用细栅金属化技术,减少正面遮挡,如应用5BB或MBB技术;正面采用选择性发射极,降低表面复合损失;利用先进的陷光技术,如采用多层
中来N型单晶双面TOPCon电池技术基于N型硅衬底,前表面采用叠层膜钝化工艺,背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构,电池的背表面为H型栅线电极,可双面发电。 中来N型单晶
单晶硅片,结合在选择性发射极(SE)、氧化硅钝化层、背钝化等全方位的工艺优化,达到23.95%的高转化效率。晶科能源特有的黑硅陷光技术和多层减反ARC技术,使电池片正面反射率达到了0.5%以下,最大
今仍在使用的铝背场技术升级到PERC(钝化发射极背面接触)技术。首先,这是正常的技术进步:只需增加两道工序即可对现有系统进行升级,从而将太阳能电池片的输出功率提高1%(绝对数)或5%(相对数)。 铝背场
起源于上世纪八十年代,与常规电池最大的区别在背表面介质膜钝化,采用局域金属接触,大大降低被表面复合速度,同时提升了背表面的光反射。PERC电池的技术竞争力吸引了整个光伏产业企业的关注,产业化设备、关键材料开发