背表面钝化技术

非晶硅钝化的对称结构可以获得较低的表面复合速率，这些特点是的HIT电池可以获得很高的开路电压(HIT电池开路电压740mv、perc电池开路电压660mv，引述自易治凯先生)，最终效率潜力比目前
花大价钱在多晶路线上不断叠加新技术，但是阿特斯在电池技术上叠加的按比例提升的工艺环节越多，未来就会有更大的动机去选用单晶硅片。表面上是为了挽救多晶技术路线而做出种种努力，不断的采购新设备叠加新工艺，但

非晶硅钝化的对称结构可以获得较低的表面复合速率，这些特点是的HIT电池可以获得很高的开路电压(HIT电池开路电压740mv、perc电池开路电压660mv，引述自易治凯先生)，最终效率潜力比目前
叠加新技术，但是阿特斯在电池技术上叠加的按比例提升的工艺环节越多，未来就会有更大的动机去选用单晶硅片。表面上是为了挽救多晶技术路线而做出种种努力，不断的采购新设备叠加新工艺，但实际上是在加速多晶

，构成空穴传输层。同样，在背表面，由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，而电子可以隧穿后通过高掺杂的n+型非晶硅，构成电子传输层。通过在电池正反两面沉积选择性传输层，使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集
。 (3)高效率 HIT电池独有的带本征薄层的异质结结构，在p-n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，大大降低了表面、界面漏电流，提高了电池效率。目前HIT电池的实验室效率已达到23%，市售

、P型高效电池技术 技术1：PERC技术 1)基本解释 PERC技术：采用Al2O3膜对背表面进行钝化，可以有效的降低背表面复合，提高开路电压，增加背表面反射，提高短路电流，从而提高电池效率

cell)，如图1所示。其结构特点是背表面扩散全覆盖以减小和降低电池的背面接触电阻和复合速率。与同为 N 型电池技术路线的 IBC、HIT 等相比，其结构简单、制备成本低、工艺流程短，易实现大规模

（含双面组件）已经有了丰富的应用案例，在发电量方面的增益得到了充分的验证。 PERC单晶技术 PERC技术，即通过背表面介质膜钝化，提升光能转化为电能的效率，在单晶电池片领域得到了广泛了应用

采用多晶硅隧穿电极接触结构，正反两面均由覆盖SiNx减反膜，金属化由丝网印刷完成，由于两面栅线结构都是常规的H型，因此TOPCon电池不仅正面可以吸收光，其背表面也能从吸收散射光从而产生额外电力。基于
提高电池的短路电流; 3、优化栅线的烧结工艺，降低栅线与电池表面的接触电阻，从而提高电池的填充因子; 4、采用离子注入技术整合整线工艺，简化工艺制程，提高良率，避免前后掺杂互相影响，最大化发挥N型