等离子体
开发原子层沉积设备的研制，推进该项目在嘉兴市的产业化。同时，该中心推出了一系列拥有自主知识产权和创新的原子层沉积设备产品，包括热型设备、等离子体增强型设备和适于光伏产业应用的批量型设备，实现了国产原子
达到17.88%后，再度取得进展，突破18.3％。 该团队利用自行研制的等离子体浸没离子注入设备，制备了纳米表面结构的黑硅材料。黑硅的纳米结构具有良好的吸光性能，也可以提高电池的填充因子与短路
多晶硅电池转换效率达到17.88%后，再度取得进展，突破18.3%。高效多晶黑硅太阳能电池I-V曲线(2013年3月)该团队利用自行研制的等离子体浸没离子注入设备，制备了纳米表面结构的黑硅材料。黑硅的纳米结构
、中国科学院等离子体物理研究所、武汉大学、清华大学、南京大学、北京大学和复旦大学。《报告》显示，彩虹集团在2008年的专利申请量为11件，2009年和2010年分别为21件和27件，因为有部分专利申请
太阳能电池效能的新技术，该技术可在近红外光谱区提高35%的太阳能转换效率，总体转换效率(全光谱)由此增加11%，从而使量子点光伏成为替代现有太阳能电池技术的极佳候选者。此外，中国科学院等离子体物理
从2001年就开始了，他们倾向于使用等离子体束和电子束进行提纯，这时在金属冶炼提纯领域的两种典型的技术，他们取得了良好的效果，但是，他们的工艺成本一直高居不下，无法降到令人满意的水平，这使得JFE后来
日本人所用的等离子体束和电子束，然后再同酸洗（湿法冶金），最后加上在上世纪四十年代就开始采用定向凝固分凝的方法得到太阳能级的硅。他们的工作也取得了令人骄傲的成绩，2007年，他们向德国一家太阳能电池
(RIE)工艺，电池平均转换效率比过去提升了0.5%，最高效率达到17.90%。
黄河光伏的背钝化工艺采用原子层沉积(ALD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在硅片背面形成氧化铝膜层
高效电池采用了RIE制绒技术，在多晶硅片制绒后使用等离子体在硅片表面进行轰击刻蚀，使硅片表面形成微小绒面，从而达到降低硅片表面光反射的目的，由于多晶硅电池对光的吸收增强，短路电流提高，电池转换效率因此提高
%，多晶高效电池的研发采用RIE工艺，电池平均转换效率比过去提升了0.5%，最高效率达到17.90%。氧化铝背钝化工艺是采用ALD（原子层沉积）或PECVD（等离子体增强化学气相沉积）工艺在硅片背面形成
工艺采用在多晶硅片制绒后使用等离子体在硅片表面进行轰击刻蚀，使硅片表面形成纳米级的微小绒面，从而达到降低硅片表面光反射的目的，该工艺的主要特点是使电池的短路电流（ISC）得到了明显的提升，增强
极灯耦合器耦合系数提高耦合效率。该课题综合了功率电子学、磁性材料学、光学、等离子体学等多方面极具挑战性的研究领域，对提升光效和节约能源有极高市场研究价值。会议还涉及诸如软开关技术，低频设计等方面的交流
聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中往除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，往除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中往除磷和碳
