等离子体

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光伏产业升级受制于人 中国太阳能何时用上“中国心”来源: 发布时间:2014-03-14 08:55:59

、多晶硅炉、单晶硅炉、多线切割机、等离子体气相沉积设备、等离子刻蚀机、制绒机、激光划切机、丝网印刷机,自动分拣机等。协鑫硅材料是我国最大的硅片生产企业之一。记者在该公司的多晶硅铸锭车间看到,早期生产线使用的

光伏核心装备依赖进口 补齐短板需国家支撑来源:新华社 发布时间:2014-03-14 07:40:25

运用到的主要装备有三氯氢硅系统、多晶硅炉、单晶硅炉、多线切割机、等离子体气相沉积设备、等离子刻蚀机、制绒机、激光划切机、丝网印刷机,自动分拣机等。 协鑫硅材料是我国最大的硅片生产企业之一。记者在

ISRA Vision获得来自亚洲光伏制造商的新订单来源:energytrend 发布时间:2014-03-03 16:06:11

,提供生产太阳能电池及硅片相关设备的公司 Amtech Systems上月27日宣布,该公司获得了近1000万美元的太阳能新订单,包括分别来自韩国和台湾的太阳能业者对其扩散与等离子体增强型化学气相沉积 (PECVD) 系统所下的订单。

台韩两地开多笔光伏设备订单 总价近千万美元来源: 发布时间:2014-02-28 14:32:59

光伏设备供应商Amtech Systems表示,其已经收到来自韩国和台湾领先的光伏制造商价值约一千万美元的订单。Amtech表示,多笔订单包括扩散炉和一个用于加工更高效率太阳能电池的等离子体增强
十二月表示,PECVD订单标志着该公司潜在业务主要补充领域的开始,这一高度创新的技术将开启更多机会。等离子体增强化学气相沉积用于钝化和抗反射涂层工艺,是电势诱发衰减(PID)保护的一个关键流程。Amtech预计未来六个月内按订单出货。

Amtech赢得韩国和台湾一千万美元光伏设备订单来源:PV-tech 发布时间:2014-02-28 14:03:18

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。Amtech首席执行官Fokko Pentinga表示:这些行业领导者反映对太阳能技术解决方案的需求日益提高,并且恢复对新增高生产能力的市场兴趣,以满足
十二月表示,PECVD订单标志着该公司潜在业务主要补充领域的开始,这一高度创新的技术将开启更多机会。等离子体增强化学气相沉积用于钝化和抗反射涂层工艺,是电势诱发衰减(PID)保护的一个关键流程。Amtech预计未来六个月内按订单出货。

设备订单:Amtech赢得韩国和台湾多笔光伏设备订单来源:PV-Tech 发布时间:2014-02-28 13:24:09

更高效率太阳能电池的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。 Amtech首席执行官Fokko Pentinga表示:这些行业领导者反映对太阳能技术解决方案的需求日益提高,并且恢复对新增
等离子体增强化学气相沉积用于钝化和抗反射涂层工艺,是电势诱发衰减(PID)保护的一个关键流程。 Amtech预计未来六个月内按订单出货。

多晶硅的前世今生来源:solartest 发布时间:2014-01-13 08:31:47

不及西门子法。改良西门子法目前虽拥有最大的市场份额,但因其技术的固有缺点产率低,能耗高,成本高,资金投入大,资金回收慢等,经营风险也最大。只有通过引人等离子体增强、流化床等先进技术,加强技术创新,才有可能提高

北极星编辑推荐(二十七):十大光伏PECVD设备企业来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2013-12-27 09:33:09

法:样品直接接触等离子体,样品或样品的支撑体就是电极的一部分。间接法:或称离域法。待沉积的样品在等离子区域之外,等离子体不直接打到样品表面,样品或其支撑体也不是电极的一部分。北极星太阳能光伏网编辑按照
得以在创办不到两年的时间内就研制成功非晶/微晶叠层硅基薄膜太阳能电池制造设备:低压化学气相沉积(LPCVD)设备、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,并已开始量产。首批设备经过客户出厂前测试和

北极星编辑推荐(二十二):十大扩散炉企业来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2013-12-19 08:49:37

(HGF/HB)、区熔炉、液相外延炉、蓝宝石退火炉、锑化镓晶体(LEC)单晶炉、气氛炉、马弗炉、真空炉、太阳能闭管软着陆扩散炉,太阳能管式PECVD(等离子体增强化学气相沉积设备)、石英脱羟炉、真空钎焊炉

薄膜晶体硅太阳能电池分析来源:中国光伏测试网 发布时间:2013-12-11 14:29:14

电池的Jsc达到30 mA/cm2,效率达到13.8%。 对这些结果有贡献的第一项改进是采用氟基等离子体粗糙处理得到的表面光散射(图3)。理想情况下,这种经过粗糙处理的有源层表面会使光100
mm的硅就可以获得这种全光散射。等离子体粗糙处理的优点很多,包括更低的反射(从粗糙处理之前的35%下降到10%)、斜入射光耦合和更低的接触电阻(因为硅衬底和银电极之间的接触面积更大)。我们观察到