、隆基的破局之道:纳米晶硅+透明导电层研究团队用p型纳米晶硅(p-nc-Si:H)替代传统非晶硅,并优化透明导电氧化物(TCO)层,实现三大突破:1. 导电性飙升4个数量级纳米晶硅结构:通过等离子体化学
:纳米晶硅的引入解决了非晶硅电导率低、接触电阻高的瓶颈问题。可大规模应用于产业线;CO₂等离子体预处理和氢稀释沉积技术,实现了低温下高质量纳米晶硅的生长。SHJ商业化潜力释放:该技术基于工业级硅片(M6
角度360°的柔性器件,在保持26.8%光电转换效率的同时,攻克了单晶硅材料力学脆性的长期技术瓶颈。技术突破:研究团队通过介观对称性调控策略,采用湿法化学蚀刻与干法等离子体刻蚀相结合的边缘圆滑处理技术
2025年2月10日武汉大学肖旭东&宫俊波于AM刊发反应性等离子体沉积ITO作为反式钙钛矿太阳能电池的有效缓冲层的研究成果,本研究展示了反应性等离子体沉积(RPD)在制造氧化铟锡(ITO)方面作为反式宽带隙钙钛矿太阳能电池中有效缓冲层的潜力。该方法使宽带隙钙钛矿太阳能电池的认证效率达到21.33%,显示出卓越的热稳定性和运行稳定性。优化后的器件在带隙为1.67 eV的情况下实现了令人印象深刻的 1.252 V开路电压,从而实现了0.418 V的极低开压损失,这归因于电子提取的改善、界面缺陷的减少和表面复合
通快霍廷格电子将于6月13日-15日亮相SNEC PV+ 第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)大会暨展览会(以下简称“2024 SNEC 光伏展”),展示其针对光伏领域的最新等离子体电源产品、前沿解决方案和相关技术。(通快霍廷格电子展台:NH馆 B150)
12月29日,上海理想万里晖薄膜设备有限公司在上海临港新片区的研发实验中心隆重举办了理想万里晖临港研发实验中心落成启用暨第100台等离子体反应腔出厂启运仪式。当天,上海市和临港新片区的领导、客户、专家、投资
该解决方案扩大了GT可用于生产低成本、开盒即用发光二极管(LED)晶圆的氮化镓技术产品供应新罕布什尔州梅里马克,2014年3月1日 GT Adv
2013年10月12日,中科院前沿局组织专家在中科院嘉兴对微电子所承担的院知识创新工程重要方向项目等离子体浸没离子注入制备黑硅及太
导读: 化学家发现了一种新的更有效的方法来进行光致反应,提出了另一种可能利用太阳光产生能源的方法。《科学》杂志刊载了这种基于等离子体的新方法——等离子体是金属的光学性质中表现出来的一种特别的电子运动。
摘要:本文研究了纳米织构化金属背接触对非晶硅薄膜太阳电池光俘获和等离子体损失的影响。利用金属背接触的织构化和太阳电池与
由中科院微电子研究所承担的中科院知识创新工程重要方向项目“超临界循环流化床关键技术及富氧燃烧研究”通过验收。