中科院“等离子体浸没离子注入制备黑硅及太阳电池技术研究”顺利通过验收

来源:世纪新能源网发布时间:2013-10-21 09:51:54
 10月12日,由中科院微电子研究所承担的中科院知识创新工程重要方向项目“超临界循环流化床关键技术及富氧燃烧研究”通过验收。

验收会由中科院前沿局组织,在中科院嘉兴微电子仪器与设备工程中心举行。上海交通大学沈文忠教授担任验收组组长,来自中山大学、浙江大学、中科院上海微系统所、中科院苏州纳米所等单位的八位专家组成验收组。

“超临界循环流化床关键技术及富氧燃烧研究”项目执行期为2011年6月至2013年5月,项目组按要求经过两年的精心组织和团队共同努力,利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料,并对黑硅太阳能电池进行研究,最终按期完成了全部研究任务,达到了任务书规定的全部考核指标。项目执行期间,科研人员创新性地采用等离子体浸没离子注入方法制备黑硅,制备的多晶硅片反射率低至1%(在可见光波段内),表面微观结构和反射率可控。此外,对多晶黑硅电池进行了系统的研究,研制的多晶黑硅电池转换效率最高达18.3%,且小批量试产工艺稳定,并在项目期间进行了中试研究和示范性应用。该项目共申请国家发明专利20件、国际专利6件;发表学术论文15篇;引进中科院“百人计划”人才2人,培养中科院青年创新促进会会员2人,培养博士、硕士研究生8名。

验收组认真听取了项目负责人的汇报,审阅了项目组提交的验收材料,经过充分讨论、质询和评议,一致同意该项目通过验收,并对项目组取得的研究成果给予高度评价,认为该项目的完成将对现有晶硅太阳能电池生产线进行升级优化,提高我国太阳能电池装备领域的技术水平,为在光伏领域获得自主知识产权做出贡献,为我国光伏产业进一步发展、升级提供必要的技术积累,具有前瞻性和深远的战略意义。

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