硅薄膜

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这家薄膜光伏制造商停牌六年终退市来源：SOLARZOOM 发布时间：2018-08-22 10:08:44

创益太阳能最新公告称，香港联合交易所(简称联交所)宣布，自2018年8月23日上午9时起，创益太阳能的上市地位将正式予以取消。这家总部位于深圳的公司，自1993年起开始生产非晶硅薄膜

创益太阳能光伏制造商

国家能源集团“全力”进军光伏前景如何来源：无所不能发布时间：2018-08-21 09:18:44

切入光伏行业，初始押注的是非晶硅薄膜技术，2012年收购香港上市公司铂阳太阳能(后改名汉能薄膜发电)后，也构建了五位一体(表述有不同)的光伏战略。与国家能源集团不同的是，汉能将这一技术全产业链均掌握在
全产业链中利润最丰厚的一环。然而，汉能没料到押注的非晶硅薄膜技术根本不具有市场竞争力，在2009年开始金太阳工程中，由于补贴模式为项目补贴，投资商趋向于选择低价组件多拿补贴款，汉能非晶硅薄膜组件还有

国家能源集团神华集团光伏建筑

光伏脊梁：没有他们中国光伏不可能再次崛起！来源：黑鹰光伏发布时间：2018-08-20 16:18:59

晶龙集团董事长靳保芳仍在河北宁晋县担任农机局副局长兼农机供应公司经理。再往前两年的1988年，一位叫高纪凡的青年才俊获得了吉林大学量子化学专业获硕士学位。往后一年，也就是1991年，施正荣以优秀的多晶硅薄膜

光伏企业家光伏企业高管

<技术篇>HIT技术金属化发展研究来源：贺利氏可再生能源发布时间：2018-08-04 15:39:30

温度(~900℃)。低温制造工艺可以有效减少热应力对膜产生的变形影响，加上两侧对称的非晶硅薄膜构造，电池基底的热损伤大大降低，有利于实现晶片的轻薄化和高效化。高稳定性 HIT太阳电池Voc越高
工艺技术的核心，要求氢化非晶硅膜层的缺陷态密度低、折射率高且光吸收系数低。目前，国内外文献多采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备非晶硅薄膜，其他方法如热丝化学气相沉积技术(HWCVD)、常压

光伏市场

双面光伏组件介绍及其应用前景分析来源：太阳能杂志发布时间：2018-08-02 09:52:31

间衬底为n 型晶体硅，经过清洗制绒的n 型c-Si 正面依次沉积厚度为5～10 nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p 型非晶硅薄膜(p-a-Si:H)，从而形成p-n 异质结。在硅片背表面
依次沉积厚度为5～10 nm 的i-a-Si:H 薄膜、n 型非晶硅薄膜(n-a-Si:H)形成背表面场。在掺杂a-Si:H 薄膜的两侧，再沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷技术在两侧

双面光伏组件光伏应用光伏组件

表面钝化技术路线多样谁主沉浮？来源：摩尔光伏发布时间：2018-08-02 09:45:02

中心;二是场效应钝化，即通过电荷积累，在界面处形成静电场，从而降低少数载流子浓度。文献中齐晓光等采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料，研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响。通过对
理想的减反射膜材料。而且，钝化膜制备过程中还能对硅片产生氢钝化的作用，能显著改善硅太阳电池的光电效率。在实际的晶体硅太阳能电池工艺中，氮化硅薄膜作为一种常见的钝化膜，其折射率在1.8～2.5，因此

太阳能电池技术硅片钝化技术

魔鬼在细节~氮化硅镀膜工艺参数优化来源：摩尔光伏发布时间：2018-07-31 10:06:18

摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅
镀膜的最优工艺参数。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛地用于半导体器件。沉积参数的设计和工艺安排都会显著影响氮化硅薄膜产量和质量

氮化硅薄膜 PECVD 光伏材料